Driver basso automobilistico For High Frequency del MOSFET di GaN And del lato LMG1025QDEETQ1 ed applicazioni strette di impulso

 LMG1025QDEETQ1 Gain laterale basso per l'automotive e driver MOSFET per applicazioni ad alta frequenza e a impulsi stretti

Descrizione del prodotto LMG1025QDEETQ1

L'LMG1025QDEETQ1 è un driver GaN FET a basso livello di potenziamento del lato e MOSFET a livello logico per applicazioni automobilistiche ad alta frequenza di commutazione.specifica di commutazione rapida, e una piccola distorsione dell'impulso si combinano per migliorare significativamente le prestazioni di LiDAR, ToF e Power Converter.1L'ampiezza di impulso di uscita di.25 ns consente impulsi di diodi più potenti e sicuri per gli occhi.2Il ritardo di propagazione di.9-ns migliora significativamente il tempo di risposta del circuito di controllo e quindi le prestazioni generali dei convertitori di potenza.Split output consente di regolare in modo indipendente la resistenza e la tempistica dell'azionamento attraverso resistori esterni tra OUTHE il gate FET.

Specifica della LMG1025QDEETQ1

Caratteristiche del LMG1025QDEETQ1

AEC-Q100 grado 1 qualificato
1.25-ns larghezza minima tipica dell'impulso di ingresso
2.6-ns ritardo di propagazione tipico in aumento
2.9-ns ritardo tipico di propagazione in caduta
Distorsione tipica dell'impulso di 300ps
Corrente di trazione indipendente 7-A e di trazione indipendente 5-A
650-ps tempo di salita tipico (220-pF carico)
850-ps tempo di caduta tipico (220-pF carico)
2 mm x 2 mm QFN
Input invertenti e non invertenti
UVLO e protezione da eccesso di temperatura
tensione di alimentazione singola da 5 V

Applicazioni diLMG1025QDEETQ1

LIDAR per autoveicoli
Monitoraggio del conducente
Sensore di rilevamento degli occupanti del veicolo
Convertitore CC/DC

Diagramma tipico del sistema LMG1025QDEETQ1

Configurazione e funzioni del pin LMG1025QDEETQ1

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Domande frequenti
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