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Gate array programmabile FCBGA676 100Ohms FPGA IC del campo di XC7K70T-3FBG676E

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

—— Luis dagli Stati Uniti

Alta qualità e prestazioni affidabili: "I componenti elettronici che abbiamo ricevuto da [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] sono di alta qualità e hanno dimostrato prestazioni affidabili nei nostri dispositivi".

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Gate array programmabile FCBGA676 100Ohms FPGA IC del campo di XC7K70T-3FBG676E

Gate array programmabile FCBGA676 100Ohms FPGA IC del campo di XC7K70T-3FBG676E
Gate array programmabile FCBGA676 100Ohms FPGA IC del campo di XC7K70T-3FBG676E

Grande immagine :  Gate array programmabile FCBGA676 100Ohms FPGA IC del campo di XC7K70T-3FBG676E

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: XC7K70T-3FBG676E
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: 676-FCBGA (27x27)
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union

Gate array programmabile FCBGA676 100Ohms FPGA IC del campo di XC7K70T-3FBG676E

Descrizione
Numero del pezzo: XC7K70T-3FBG676E Interfacce DDR3: Fino a 1.866 Mb/s
Blocchetto RAM della doppia porta: 36 KB Svuoti la tecnologia della trasformazione di tensione: 1,0 V
Opzione di tensione del centro: 0.9V Numero di I/O: 300

Gate array programmabile FCBGA676 100Ohms FPGA IC del campo di XC7K70T-3FBG676E

 

Descrizione di prodotto di XC7K70T-3FBG676E

Circuiti integrati di XC7K70T-3FBG676E (CI), incastonati - FPGAs (gate array programmabile del campo), temperatura di funzionamento è 0°C ~ 100°C (TJ).

 

Specificazione di XC7K70T-3FBG676E

Numero del pezzo: XC7K70T-3FBG676E Tipo: Gate array programmabile del campo
RAM Bits totale: 4976640 Tensione della batteria (min): 1.0V
Montaggio del tipo: Supporto di superficie Tensione della batteria (massima): 1,89 V

 

Caratteristiche di XC7K70T-3FBG676E

  • Blocco integrato per il PCI Express® (PCIe), per fino alle progettazioni del porto di punto finale e della radice di x8 Gen3.
  • crittografia di 256 bit AES con autenticazione HMAC/SHA-256
  • Tecnologia ad alto rendimento di SelectIO™ con contributo alle interfacce DDR3 fino a 1.866 Mb/s.

 

FAQ
Q. Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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