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Transistor 600V 8PowerVDFN del MOSFET di potere del chip STL24N60M6 del circuito integrato

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
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—— Nishikawa dal Giappone

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Transistor 600V 8PowerVDFN del MOSFET di potere del chip STL24N60M6 del circuito integrato

Transistor 600V 8PowerVDFN del MOSFET di potere del chip STL24N60M6 del circuito integrato
Transistor 600V 8PowerVDFN del MOSFET di potere del chip STL24N60M6 del circuito integrato Transistor 600V 8PowerVDFN del MOSFET di potere del chip STL24N60M6 del circuito integrato

Grande immagine :  Transistor 600V 8PowerVDFN del MOSFET di potere del chip STL24N60M6 del circuito integrato

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: STL24N60M6
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: 8-PowerVDFN
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union

Transistor 600V 8PowerVDFN del MOSFET di potere del chip STL24N60M6 del circuito integrato

Descrizione
Numero del pezzo: STL24N60M6 Carica di Gate (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
RDS (sopra) massimo: mΩ 209 Vgs (massimo): ±25V
Dissipazione di potere (massima): 109W (TC) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 960 PF @ 100 V

Transistor 600V 8PowerVDFN del MOSFET di potere del chip STL24N60M6 del circuito integrato

 

Descrizione di prodotto di STL24N60M6
STL24N60M6 è singoli FETs alimenta i transistor del MOSFET, resistenza d'ingresso bassa del portone, la temperatura di funzionamento è -55°C ~ 150°C (TJ).

 

Attributi di prodotto di STL24N60M6

Numero del pezzo STL24N60M6
Tipo del FET
N-Manica
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Vuoti a tensione di fonte (Vdss)
600 V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C
15A (TC)
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On)
10V
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs
209mOhm @ 8.5A, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @
4.75V @ 250µA
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)

 

Caratteristica di STL24N60M6

  • Perdite di commutazione ridutrici
  • RDS più basso (sopra) per area contro la generazione precedente
  • Resistenza d'ingresso bassa del portone
  • la valanga 100% ha provato
  • Zener-protetto

 

Applicazioni di STL24N60M6

  • Applicazioni di commutazione
  • Convertitori del LLC
  • Convertitori di spinta PFC

 

La commutazione cronometra il circuito della prova per il carico resistivo (STL24N60M6)

Transistor 600V 8PowerVDFN del MOSFET di potere del chip STL24N60M6 del circuito integrato 0

 

FAQ
Q. Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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