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IKW40N65WR5 checonduce IGBT con il pacchetto monolitico del diodo TO-247-3 del corpo

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
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—— Nishikawa dal Giappone

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IKW40N65WR5 checonduce IGBT con il pacchetto monolitico del diodo TO-247-3 del corpo

IKW40N65WR5 checonduce IGBT con il pacchetto monolitico del diodo TO-247-3 del corpo
IKW40N65WR5 checonduce IGBT con il pacchetto monolitico del diodo TO-247-3 del corpo IKW40N65WR5 checonduce IGBT con il pacchetto monolitico del diodo TO-247-3 del corpo

Grande immagine :  IKW40N65WR5 checonduce IGBT con il pacchetto monolitico del diodo TO-247-3 del corpo

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: IKW40N65WR5
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-247-3
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union

IKW40N65WR5 checonduce IGBT con il pacchetto monolitico del diodo TO-247-3 del corpo

Descrizione
Part Number: IKW40N65WR5 IGBT Type: Trench
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Evidenziare:

IKW40N65WR5

,

IGBT IKW40N65WR5

,

IGBT con diodo di corpo monolitico

IKW40N65WR5 checonduce IGBT con il pacchetto monolitico del diodo TO-247-3 del corpo

 

Descrizione di prodotto di IKW40N65WR5

IKW40N65WR5 è una fossa 650 V 80 A 230 W di IGBT attraverso il foro PG-TO247-3.

 

Attributi di prodotto di IKW40N65WR5

Numero del pezzo

IKW40N65WR5

Massimo elettrico

230 W

Energia di commutazione

770µJ (sopra), 160µJ (fuori)

Tipo introdotto

Norma

Tassa del portone

193 nC

Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C

42ns/432ns

Condizione di prova

400V, 20A, 20Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

112 NS

Temperatura di funzionamento

-40°C ~ 175°C (TJ)

 

Caratteristiche di IKW40N65WR5

  • VCE = 650 V

  • IC = 40 A

  • Diodo monolitico potente ottimizzato per le applicazioni di ZCS

  • Alta irregolarità, comportamento stabile di temperatura

  • VCEsat basso stesso e Eoff basso

  • Capacità di parallelizzazione facile dovuto il coefficiente di temperatura positivo in VCEsat

  • EMI bassa

  • Parametri elettrici bassi dipendendo (dipendenza) dalla temperatura

  • Qualificato secondo JESD-022 per le applicazioni dell'obiettivo

  • placcatura senza Pb del cavo; RoHS compiacente

 

Applicazioni di IKW40N65WR5

  • Saldatura

  • PFC

  • ZCS - convertitori

 

Disegno del pacchetto di IKW40N65WR5

IKW40N65WR5 checonduce IGBT con il pacchetto monolitico del diodo TO-247-3 del corpo 0

 

FAQ
Q. Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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