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Chip 60V del circuito integrato del transistor TO-252-3 del MOSFET di potere di Manica IPD06P004N di P

Name: Chip 60V del circuito integrato del transistor TO-252-3 del MOSFET di potere di Manica IPD06P004N di P
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: IPD06P004N
Availability: InStock

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Certificazione

La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni

Rassegne del cliente

È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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Chip 60V del circuito integrato del transistor TO-252-3 del MOSFET di potere di Manica IPD06P004N di P

Grande immagine : Chip 60V del circuito integrato del transistor TO-252-3 del MOSFET di potere di Manica IPD06P004N di P

Dettagli:

Luogo di origine:	CN
Marca:	Original Factory
Certificazione:	Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello:	IPD06P004N

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	10
Prezzo:	Contact for Sample
Imballaggi particolari:	PG-TO252-3
Tempi di consegna:	5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento:	T/T, L/C, Western Union

Contatto

Chip 60V del circuito integrato del transistor TO-252-3 del MOSFET di potere di Manica IPD06P004N di P

Descrizione

Numero della parte:	IPD06P004N	Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):	60 V
Dissipazione di potere (massima):	63W (TC)	Tensione di controllo:	10V
Temperatura di funzionamento (min):	-55°C (TJ)	Temperatura di funzionamento (max):	175°C (TJ)
Evidenziare:	IPD06P004N , IPD06P004N Chip di circuito integrato , Transistor MOSFET a canale P

P Canale IPD06P004N Potenza MOSFET Transistor TO-252-3 Chip di circuito integrato 60V

- Sì.

Descrizione del prodottoIPD06P004N

IPD06P004N è un 60V OptiMOS Power Transistor - Transistor MOSFET a canale P, il pacchetto è PG-TO252-3 ((Surface Mount).

Specifica diIPD06P004N

Numero della parte	IPD06P004N
Tipo di FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido metallico)
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss)	60 V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C	16.4A (Tc)
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 16.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 710μA
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs	27 nC @ 10 V
Vgs (Max)	± 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1100 pF @ 30 V
Dissipazione di potenza (Max)	63W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Confezione del dispositivo del fornitore	PG-TO252-3
Confezione / Cassa	TO-252-3, DPak (2 Lead + Tab), SC-63

Caratteristiche diChip di circuito integrato

Canale P
RDS a bassa resistenza
100% testato con valanghe
Livello normale
Modalità di potenziamento
Pb-free lead plating;conforme alla direttiva RoHS

Diagramma di bloccoIPD06P004N

Chip 60V del circuito integrato del transistor TO-252-3 del MOSFET di potere di Manica IPD06P004N di P 0

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Domande frequenti

D: I vostri prodotti sono originali?
A: Sì, tutti i prodotti sono originali, nuova importazione originale è il nostro scopo.
D: Quali certificati ha?
R: Siamo una società certificata ISO 9001:2015 e membro di ERAI.
D: Potete supportare ordini o campioni in piccole quantità?Il campione è gratuito?
R: Sì, sosteniamo l'ordine di campione e il piccolo ordine. Il costo del campione è diverso a seconda del tuo ordine o progetto.
D: Come spedisco il mio ordine?
R: Usiamo l'espresso per spedire, come DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS. Possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito.I prodotti saranno in buona confezione e garantire la sicurezza e siamo responsabili per i danni prodotti al vostro ordine.
D: Che mi dici del tempo di consegna?
A: Possiamo spedire le parti in magazzino entro 5 giorni lavorativi. Se senza magazzino, confermeremo il tempo di consegna in base alla quantità dell'ordine.

Prodotto Tag:

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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