l'automobile 650V scheggia la fermata di campo della fossa dei transistor TO-3PN di FGA40T65SHD IGBT

l'automobile 650V scheggia la fermata di campo della fossa dei transistor TO-3PN di FGA40T65SHD IGBT

Descrizione di prodotto di FGA40T65SHD

FGA40T65SHD facendo uso della tecnologia novella di arresto di campo IGBT, generazione IGBTs di arresto di campo terza offrono la prestazione ottimale per l'invertitore solare, UPS, saldatore, le Telecomunicazioni, le applicazioni di PFC e di ESS dove la conduzione bassa e le perdite di commutazione sono essenziali.

Specificazione di FGA40T65SHD

Caratteristiche dei chip dell'automobile

• Temperatura di giunzione massima: TJ =175oC
• Coefficiente di temperatura positivo per il funzionamento parallelo facile
• Capacità a corrente forte
• Tensione di saturazione bassa: VCE (si è seduto) =1.6 V (tipo.) @ IC = 40 A
• 100% delle parti provate a ILM (1)

Applicazioni di FGA40T65SHD

• UPS
• Saldatore
• Invertitore solare

Altri componenti elettronici in azione

FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.