L'automobile scheggia i singoli IGBT transistor di arresto di campo di FGA40N65SMD TO-3PN attraverso il foro

L'automobile scheggia i singoli IGBT transistor TO-3PN di arresto di campo di FGA40N65SMD attraverso il foro

Descrizione di prodotto di FGA40N65SMD

FGA40N65SMD è 650V, transistor di arresto di campo 40A IGBT. Il pacchetto è TO-3PN. Coefficiente di temperatura positivo per il funzionamento parallelo facile.

Specificazione di FGA40N65SMD

Caratteristiche dei chip dell'automobile

• Tensione di saturazione bassa: VCE (seduto) = 1,9 V (tipo.) @ IC = 40 A
• Commutazione veloce: EOFF = 6,5 uJ/A
• Stringa la distribuzione di parametro
• RoHS compiacente

Applicazioni di FGA40N65SMD

• PFC, riscaldamento di induzione
• Le Telecomunicazioni, ESS

Altri componenti elettronici in azione

FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.