650V l'automobile dei transistor AFGHL75T65SQDT scheggia i singoli IGBTs transistor TO-247-3 di 80A

650V l'automobile dei transistor AFGHL75T65SQDT scheggia i singoli IGBTs transistor TO-247-3 di 80A

Descrizione di prodotto di AFGHL75T65SQDT

AFGHL75T65SQDT è 650V, fossa IGBT di arresto di campo di 80 A, facendo uso tecnologia novella della generazione IGBT di arresto di campo della quarta e della tecnologia del diodo di azione furtiva.

Specificazione di AFGHL75T65SQDT

Caratteristiche di AFGHL75T65SQDT

• AEC−Q101 si è qualificato
• Distribuzione stretta di parametro
• 100% delle parti è provato a ILM
• Tensione di saturazione bassa: VCE (Sat) = 1,6 V (tipo.) @ IC = 75 A

Applicazioni di AFGHL75T65SQDT

• HEV−EV automobilistico a bordo dei caricatori
• Convertitori automobilistici di HEV−EV DC−DC

Altri tipi di prodotto del rifornimento

FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.