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l'automobile 650V scheggia i transistor TO-247-3 della fossa IGBT di arresto di campo di AFGHL50T65SQDC

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

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l'automobile 650V scheggia i transistor TO-247-3 della fossa IGBT di arresto di campo di AFGHL50T65SQDC

l'automobile 650V scheggia i transistor TO-247-3 della fossa IGBT di arresto di campo di AFGHL50T65SQDC
l'automobile 650V scheggia i transistor TO-247-3 della fossa IGBT di arresto di campo di AFGHL50T65SQDC

Grande immagine :  l'automobile 650V scheggia i transistor TO-247-3 della fossa IGBT di arresto di campo di AFGHL50T65SQDC

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: AFGHL50T65SQDC
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-247-3
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union

l'automobile 650V scheggia i transistor TO-247-3 della fossa IGBT di arresto di campo di AFGHL50T65SQDC

Descrizione
Numero del pezzo: AFGHL50T65SQDC Tensione di Collector−to−Emitter: 650V
Tensione di Gate−To−Emitter: ±20V Tensione transitoria di Gate−to−Emitter: ±30V
Corrente di collettore @ TC = 25°C: 80A Corrente di collettore @ TC = 100°C: 50A

l'automobile 650V scheggia i transistor TO-247-3 della fossa IGBT di arresto di campo di AFGHL50T65SQDC

 

Descrizione di prodotto di AFGHL50T65SQDC

Fossa IGBT di arresto di campo di AFGHL50T65SQDC, facendo uso della tecnologia ad alta velocità di campo generazione novella IGBT di arresto della quarta.

 

Specificazione di AFGHL50T65SQDC

Numero del pezzo: AFGHL50T65SQDC - Collettore (CI) - massimo corrente: 80 A
Temperatura di funzionamento (min): -55°C (TJ) Condizione di prova: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Temperatura di funzionamento (massima): 175°C (TJ) Energia di commutazione: 950µJ (sopra), 460µJ (fuori)

 

Dimensioni del pacchetto di AFGHL50T65SQDC

l'automobile 650V scheggia i transistor TO-247-3 della fossa IGBT di arresto di campo di AFGHL50T65SQDC 0
 

Altri tipi di prodotto del rifornimento

Numero del pezzo Pacchetto
PCM5101PWR SSOP
PD632-P DIP-3
PDTC114TU SOT323
PE42742 QFN
PEF22824EV1.2 BGA
PEF22825V1.1 QFP


FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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