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L'automobile scheggia il supporto di superficie TO-263-3 dei singoli IGBT transistor di AFGB30T65SQDN

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

—— Luis dagli Stati Uniti

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L'automobile scheggia il supporto di superficie TO-263-3 dei singoli IGBT transistor di AFGB30T65SQDN

L'automobile scheggia il supporto di superficie TO-263-3 dei singoli IGBT transistor di AFGB30T65SQDN
L'automobile scheggia il supporto di superficie TO-263-3 dei singoli IGBT transistor di AFGB30T65SQDN

Grande immagine :  L'automobile scheggia il supporto di superficie TO-263-3 dei singoli IGBT transistor di AFGB30T65SQDN

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: AFGB30T65SQDN
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-263-3
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union

L'automobile scheggia il supporto di superficie TO-263-3 dei singoli IGBT transistor di AFGB30T65SQDN

Descrizione
Numero del pezzo: AFGB30T65SQDN Tensione dell'emettitore del portone: -20V, +20V
Tassa del portone: 56 nC Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C: 14.5ns
Tempo di recupero inverso: 245 NS Temperatura di funzionamento: -55°C ~ 175°C (TJ)

L'automobile scheggia il supporto di superficie TO-263-3 dei singoli IGBT transistor di AFGB30T65SQDN

 

Descrizione di prodotto di AFGB30T65SQDN

AFGB30T65SQDN facendo uso di tecnologia novella di arresto di campo IGBT, nuova serie di offerta di FS4 IGBTs la prestazione ottimale per le applicazioni automobilistiche.

 

Specificazione di AFGB30T65SQDN

Numero del pezzo:

AFGB30T65SQDN

Temperatura di giunzione massima:

175°C

Pacchetto:

TO−263

Tipo:

Chip dell'automobile

Tensione:

1,58 V

Collettore a tensione dell'emettitore:

650 V

 

Caratteristiche di AFGB30T65SQDN

  • Temperatura di giunzione massima: TJ = 175°C

  • Coefficiente di temperatura positivo per l'operazione parallela facile

 

 

Altri componenti elettronici in azione

Numero del pezzo

Pacchetto

S210C01

QFP

S24C02A

SSOP-8

S25FL008K0XMFI040

SOP8

S29CL016J0MQFM030

QFP

S29GL01GS10FHI010

FBGA

S3F8278XZZ-ET88

QFP64

 

FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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