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Casa ProdottiChip del circuito integrato

L'automobile scheggia i transistor 268W TO-247-3 di arresto di campo della fossa di AFGHL50T65RQDN IGBT

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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L'automobile scheggia i transistor 268W TO-247-3 di arresto di campo della fossa di AFGHL50T65RQDN IGBT

L'automobile scheggia i transistor 268W TO-247-3 di arresto di campo della fossa di AFGHL50T65RQDN IGBT
L'automobile scheggia i transistor 268W TO-247-3 di arresto di campo della fossa di AFGHL50T65RQDN IGBT

Grande immagine :  L'automobile scheggia i transistor 268W TO-247-3 di arresto di campo della fossa di AFGHL50T65RQDN IGBT

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: AFGHL50T65RQDN
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-247-3
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union
Contatto

L'automobile scheggia i transistor 268W TO-247-3 di arresto di campo della fossa di AFGHL50T65RQDN IGBT

Descrizione
Numero del pezzo: AFGHL50T65RQDN Tensione transitoria di Gate−to−Emitter: ±30V
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima): 650 V Dissipazione di potere @ TC = 25°C (massimi): 268W
Corrente di collettore @ TC = 25°C: 80A Tipo introdotto: Norma

L'automobile scheggia i transistor 268W TO-247-3 di arresto di campo della fossa di AFGHL50T65RQDN IGBT

 

Descrizione di prodotto di AFGHL50T65RQDN

AFGHL50T65RQDN è supporto da solo IGBT, 50A, transistor della fossa IGBT di arresto di campo 650V. Il pacakge è TO-247-3 (attraverso il foro).

 

Specificazione di AFGHL50T65RQDN

Numero del pezzo: AFGHL50T65RQDN Tipo di IGBT: Fermata di campo della fossa
Corrente di collettore pulsata: 200A Tassa del portone: 102 NC
Tensione di Gate−To−Emitter: ±20V Montaggio del tipo: Attraverso il foro

 

Dimensioni del pacchetto di AFGHL50T65RQDN

L'automobile scheggia i transistor 268W TO-247-3 di arresto di campo della fossa di AFGHL50T65RQDN IGBT 0
 

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Numero del pezzo Pacchetto
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PI3USB10ZEEX QFN
PI49FCT3805CQEX QSOP20
PI5C3257QEX SSOP-16
PI74SSTU32864NBEX BGA
PIC12F1822-I/SN SOP8

 

FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

Prodotto Tag:

Chip 24-PQFN del circuito integrato,

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Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

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