L'automobile scheggia di AFGHL40T65SQD di campo di arresto il singolo IGBT transistor della fossa IGBT 40A

L'automobile scheggia di AFGHL40T65SQD di campo di arresto il singolo IGBT transistor della fossa IGBT 40A

Descrizione di prodotto di AFGHL40T65SQD

Di AFGHL40T65SQD di campo di arresto il singolo IGBT transistor della fossa IGBT 40A, la temperatura di giunzione massima è TJ = 175°C.

Specificazione di AFGHL40T65SQD

Caratteristiche dei chip dell'automobile

• Tensione di Collector−To−Emitter: 650V
• Tensione di Gate−To−Emitter: ±20V
• Tensione transitoria di Gate−To−Emitter: ±30V
• Corrente di collettore @ TC = 25°C: 80A
• Corrente di collettore @ TC = 100°C: 40A
• Corrente di collettore pulsata: 160A

Altri tipi di prodotto del rifornimento

FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.