singolo IGBT transistor TO-247-3 di 28ns AFGHL40T65SQ attraverso la fermata di campo della fossa del foro 238W

singolo IGBT transistor TO-247-3 di 28ns AFGHL40T65SQ attraverso la fermata di campo della fossa del foro 238W

Descrizione di prodotto di AFGHL40T65SQ

Il singolo IGBT transistor di AFGHL40T65SQ 28ns, pacchetto è TO-247-3, attraverso il foro, fermata di campo della fossa 238W. La dissipazione di potere massima @ TC = 100°C è 119W.

Specificazione di AFGHL40T65SQ

Caratteristiche dei chip dell'automobile

• Dissipazione di potere massima @ TC = 25°C: 238W
• Dissipazione di potere massima @ TC = 100°C: 119W
• Gamma di temperature di funzionamento stoccaggio/della giunzione: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Corrente di andata @ TC del diodo < 25="">
• Corrente di andata @ TC del diodo < 100="">

Altri tipi di prodotto del rifornimento

FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.