l'automobile 238W scheggia i transistor TO-247-3 di arresto di campo della fossa di AFGHL40T65SPD IGBT

l'automobile 238W scheggia i transistor TO-247-3 di arresto di campo della fossa di AFGHL40T65SPD IGBT

Descrizione di prodotto di AFGHL40T65SPD

Transistor di arresto di campo della fossa di AFGHL40T65SPD IGBT - i singoli IGBTs transistor di 238W, pacchetto è TO-247-3, tensione transitoria di Gate−To−Emitter è ±30V.

Specificazione di AFGHL40T65SPD

Caratteristiche dei chip dell'automobile

• Tensione di saturazione bassa: VCE (Sat) = 1,6 V (tipo.) @ IC = 40 A
• 100% delle parti è provato a ILM
• Junction−to−case di resistenza termica, per IGBT: 0.63°C/W
• Junction−to−case di resistenza termica, per il diodo: 1.71°C/W
• Resistenza termica junction−to−ambient: 40°C/W

Altri tipi di prodotto del rifornimento

FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.