L'automobile dei transistor di arresto di campo della fossa di IGBT 1200V AFGHL40T120RLD 529W scheggia

L'automobile dei transistor di arresto di campo della fossa di IGBT 1200V AFGHL40T120RLD 529W scheggia

Descrizione di prodotto di AFGHL40T120RLD

AFGHL40T120RLD è fermata di campo della fossa di IGBT 1200 V 48 A 529 W con la temperatura Co−efficient del foro TO-247-3.Positive per l'operazione parallela facile.

Specificazione di AFGHL40T120RLD

Caratteristiche di AFGHL40T120RLD

• Temperatura di giunzione massima: TJ = 175°C

• Capacità a corrente forte

• Tensione di saturazione bassa: VCE (Sat) = 1,57 V (tipo.) @ IC = 30 A

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FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.