|
Dettagli:
|
| Numero di parte: | SCT1000N170AG | Dissipazione di potere totale a TC = °C 25: | 96w |
|---|---|---|---|
| Intervallo di temperatura di conservazione: | -55 °C a °C 200 | Giunzione--caso di resistenza termica: | 1,83 °C/W |
| Resistenza termica giunzione--ambientale: | 40 °C/W | Pacchetto: | HiP247 |
| Evidenziare: | MOSFET di potenza da 1700 V,MOSFET al carburo di silicio 7A,Chip automobilistico del circuito integrato |
||
Questo MOSFET di potenza in carburo di silicio è prodotto sfruttando le proprietà avanzate e innovative dei materiali a banda larga.
Codice articolo:
SCT1000N170AG
Tensione Drain-Source:
1700 V
Tensione Gate-Source:
-10 A 22 V
Corrente di drain (continua) a TC = 25 °C:
7A
Corrente di drain (continua) a TC = 100 °C:
5A
Corrente di drain (pulsata):
20A
Codice articolo
Package
IPDQ65R099CFD7
PG-HDSOP-22
IPDQ65R125CFD7
PG-HDSOP-22
IQE046N08LM5CG
PG-TTFN-9
BSC007N04LS6SC
PG-WSON-8
IPB050N10NF2S
PG-TO263-3
IRF150P220
PG-TO247-3
IRF150P221
PG-TO247-3
IAUS200N08S5N023
PG-HSOG-8
IPA040N06NM5S
PG-TO220
IPA052N08NM5S
PG-TO220
IAUC100N04S6N028
PG-TDSON-8
ISC088N08NM6
PG-TDSON-8
1ED3330MC12M
PG-DSO-16
2EDR3140XQE
PG-DSO-14
2ED2410-EM
PG-TSDSO-24
2EDN7533F
PG-DSO-8
2EDN8534F
PG-DSO-8
6EDL04N065PT
PG-DSO-28
TLE9180D-21QK
PG-LQFP-64
1EDI20I12AF
PG-DSO-8
2EDS7165H
PG-DSO-16
IDWD150G120C5
PG-TO247-2
IDWD75G120C5
PG-TO247-2
IDWD60G120C5
PG-TO247-2
IDWD50G120C5
PG-TO247-2
MRMS166R
QFN
SCH16T-K20
SOIC-24
PE24108A
QFN
PE24110A
QFN
PE25200A
QFN
Persona di contatto: Sales Manager
Telefono: 86-13410018555
Fax: 86-0755-83957753