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MOSFET di potere del carburo di silicio del chip SCT1000N170AG HiP247 del circuito integrato di SIC

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

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MOSFET di potere del carburo di silicio del chip SCT1000N170AG HiP247 del circuito integrato di SIC

MOSFET di potere del carburo di silicio del chip SCT1000N170AG HiP247 del circuito integrato di SIC
SIC Integrated Circuit Chip SCT1000N170AG HiP247 Silicon Carbide Power MOSFET
MOSFET di potere del carburo di silicio del chip SCT1000N170AG HiP247 del circuito integrato di SIC MOSFET di potere del carburo di silicio del chip SCT1000N170AG HiP247 del circuito integrato di SIC

Grande immagine :  MOSFET di potere del carburo di silicio del chip SCT1000N170AG HiP247 del circuito integrato di SIC

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: SCT1000N170AG
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: HiP247
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union

MOSFET di potere del carburo di silicio del chip SCT1000N170AG HiP247 del circuito integrato di SIC

Descrizione
Numero del pezzo: SCT1000N170AG Dissipazione di potere totale a TC = °C 25: 96W
Gamma di temperature di stoccaggio: -55 °C a °C 200 Giunzione--caso di resistenza termica: 1,83 °C/W
Resistenza termica giunzione--ambientale: 40 °C/W Pacchetto: HiP247

MOSFET di potere del carburo di silicio del chip SCT1000N170AG HiP247 del circuito integrato di SIC

 

Descrizione di prodotto di SCT1000N170AG

SCT1000N170AG questo MOSFET di potere del carburo di silicio è prodotto che sfrutta le proprietà avanzate e innovarici di ampi materiali del bandgap.

 

Specificazione di SCT1000N170AG

Numero del pezzo: SCT1000N170AG Tensione di Scolo-fonte: 1700 V
Tensione di Portone-fonte: -10 - 22 V Vuoti corrente (continuo) a TC = °C 25: 7A
Vuoti corrente (continuo) a TC = °C 100: 5A Vuoti corrente (pulsato): 20A

 

Caratteristiche del chip del circuito integrato di SIC

  • AEC-Q101 il giro C si è qualificato
  • Diodo intrinseco molto veloce e robusto del corpo
  • Capacità basse
  • Capacità di funzionamento molto alta di temperatura di giunzione (TJ = °C) 200

 

Applicazioni di SCT1000N170AG

  • Invertitore principale (trazione elettrica)
  • Convertitore di DC/DC per EV/HEV
  • A bordo del caricatore (OBC)

 

Altri componenti elettronici in azione

Numero del pezzo Pacchetto
IRAM336 ZIP19
IRF1010 TO-220
IRF1018 TO-220
IRF1310 TO-220
IRF1324 TO-220
IRF1404 TO-220

 

FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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