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MOSFET di potere del carburo di silicio del ² PAK-7 del chip SCT070H120G3AG H del circuito integrato di 30A SIC

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
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—— Nishikawa dal Giappone

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MOSFET di potere del carburo di silicio del ² PAK-7 del chip SCT070H120G3AG H del circuito integrato di 30A SIC

MOSFET di potere del carburo di silicio del ² PAK-7 del chip SCT070H120G3AG H del circuito integrato di 30A SIC
30A SIC Integrated Circuit Chip SCT070H120G3AG H²PAK-7 Silicon Carbide Power MOSFET
MOSFET di potere del carburo di silicio del ² PAK-7 del chip SCT070H120G3AG H del circuito integrato di 30A SIC MOSFET di potere del carburo di silicio del ² PAK-7 del chip SCT070H120G3AG H del circuito integrato di 30A SIC

Grande immagine :  MOSFET di potere del carburo di silicio del ² PAK-7 del chip SCT070H120G3AG H del circuito integrato di 30A SIC

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: SCT070H120G3AG
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: ² PAK-7 DI H
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union

MOSFET di potere del carburo di silicio del ² PAK-7 del chip SCT070H120G3AG H del circuito integrato di 30A SIC

Descrizione
Numero del pezzo: SCT070H120G3AG Tensione di Scolo-fonte: 1200V
Tensione di Portone-fonte: -10V a 22V Vuoti corrente (continuo) a TC = °C 25: 30A
Vuoti corrente (continuo) a TC = °C 100: 20A Dissipazione di potere totale a TC = °C 25: 223W

MOSFET di potere del carburo di silicio del ² PAK-7 del chip SCT070H120G3AG H del circuito integrato di 30A SIC

 

Descrizione di prodotto di SCT070H120G3AG

SCT070H120G3AG caratterizza un RDS molto basso (sopra) sopra l'intera gamma di temperature combinata con le capacità basse e le operazioni di commutazione molto alte.

 

Specificazione di SCT070H120G3AG

Numero del pezzo: SCT070H120G3AG Tensione di Scolo-fonte: 1200V
Vuoti corrente (pulsato): 100A Corrente zero dello scolo di tensione del portone (VGS = 0 V, VDS = V) 1200 massimo: 10µA
Corrente di perdita del Portone-corpo (VDS = 0V, VGS = -10 a 22V) massima: Na ±100 Corrente di andata del diodo continuo (TC = °C) 25: 30A

 

Applicazioni di SCT070H120G3AG

  • Convertitore di DC/DC per EV/HEV

 

Caratteristiche di uscita tipiche (TJ = °C) 25 di SCT070H120G3AG

MOSFET di potere del carburo di silicio del ² PAK-7 del chip SCT070H120G3AG H del circuito integrato di 30A SIC 0

 

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FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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