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Di SIC del circuito integrato ampi Bandgap MOSFETs dei transistor 100A del chip SCT020H120G3AG sic

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
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—— Nishikawa dal Giappone

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Di SIC del circuito integrato ampi Bandgap MOSFETs dei transistor 100A del chip SCT020H120G3AG sic

Di SIC del circuito integrato ampi Bandgap MOSFETs dei transistor 100A del chip SCT020H120G3AG sic
SIC Integrated Circuit Chip SCT020H120G3AG Wide Bandgap Transistors 100A SiC MOSFETs
Di SIC del circuito integrato ampi Bandgap MOSFETs dei transistor 100A del chip SCT020H120G3AG sic Di SIC del circuito integrato ampi Bandgap MOSFETs dei transistor 100A del chip SCT020H120G3AG sic

Grande immagine :  Di SIC del circuito integrato ampi Bandgap MOSFETs dei transistor 100A del chip SCT020H120G3AG sic

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: SCT020H120G3AG
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: H2PAK-7
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union

Di SIC del circuito integrato ampi Bandgap MOSFETs dei transistor 100A del chip SCT020H120G3AG sic

Descrizione
Numero del pezzo: SCT020H120G3AG Dissipazione di potere totale a TC = °C 25: 555 W
Corrente dello scolo (pulsata): 281 A Vuoti corrente (continuo) a TC = °C 100: 70 A
Resistenza termica, giunzione--caso: 0,27 °C/W tensione transitoria di Portone-fonte, tp < 1 μs, ≤ di t 10 ore sopra la vita: -11V a 25V

Di SIC del circuito integrato ampi Bandgap MOSFETs dei transistor 100A del chip SCT020H120G3AG sic

 

Descrizione di prodotto di SCT020H120G3AG

Di SCT020H120G3AG MOSFETs sic - gli ampi Bandgap transistor di 100A, migliorano la prestazione dell'applicazione nella frequenza, nel rendimento energetico, nella dimensione di sistema e nella perdita di peso.

 

Specificazione di SCT020H120G3AG

Numero del pezzo: SCT020H120G3AG Tipo di RDS (sopra): 18,5 MΩ
Tipo statico di Su resistenza di Scolo-fonte (VGS = 18 V, identificazione = 50 A): 18.5mΩ Su resistenza statica di Scolo-fonte (VGS = 18 V, identificazione = 50 A) massima: 28mΩ
Tipo di resistenza d'ingresso del portone (F = 1MHz, identificazione = 0A): 1.5Ω Pacchetto: H2PAK-7

 

Dissipazione di potere totale di SCT020H120G3AG

Di SIC del circuito integrato ampi Bandgap MOSFETs dei transistor 100A del chip SCT020H120G3AG sic 0

 

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Numero del pezzo Pacchetto
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IRFB4321 TO-220
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IRFH8337 DFN5x6

 

FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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