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Transistor 750V H2PAK-7 del MOSFET di potere del chip SCT011H75G3AG del circuito integrato di SIC

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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Transistor 750V H2PAK-7 del MOSFET di potere del chip SCT011H75G3AG del circuito integrato di SIC

Transistor 750V H2PAK-7 del MOSFET di potere del chip SCT011H75G3AG del circuito integrato di SIC
SIC Integrated Circuit Chip SCT011H75G3AG Power MOSFET Transistors 750V H2PAK-7
Transistor 750V H2PAK-7 del MOSFET di potere del chip SCT011H75G3AG del circuito integrato di SIC Transistor 750V H2PAK-7 del MOSFET di potere del chip SCT011H75G3AG del circuito integrato di SIC

Grande immagine :  Transistor 750V H2PAK-7 del MOSFET di potere del chip SCT011H75G3AG del circuito integrato di SIC

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: SCT011H75G3AG
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: H2PAK-7
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union
Contatto

Transistor 750V H2PAK-7 del MOSFET di potere del chip SCT011H75G3AG del circuito integrato di SIC

Descrizione
Numero del pezzo: SCT011H75G3AG Tensione di Scolo-fonte: 750 V
Vuoti corrente (continuo) a TC = °C 25: 110A Dissipazione di potere totale a TC = °C 25: 652 W
Tipo inverso di capacità di trasferimento (VDS=400V, f=1MHz, VGS=0V): 33.6pF Tipo di tensione di andata del diodo (ISD=50A, VGS=0V): 2.5V

Transistor 750V H2PAK-7 del MOSFET di potere del chip SCT011H75G3AG del circuito integrato di SIC

 

Descrizione di prodotto di SCT011H75G3AG

SCT011H75G3AG è dispositivo del MOSFET di potere del carburo di silicio, tipo 11,4 del mOhm. La temperatura di giunzione di funzionamento ha suonato è -55°C a 175°C, RDS molto basso (sopra) sopra l'intera gamma di temperature.

 

Specificazione di SCT011H75G3AG

Numero del pezzo: SCT011H75G3AG Pacchetto: ² PAK-7 DI H
Tensione di Portone-fonte: -10V a 22V Resistenza termica, Giunzione--ambientale: 50 °C/W
Tipo di RDS (sopra).: 11,4 MΩ Min di tensione di ripartizione di Scolo-fonte (VGS = 0 V, identificazioni = 1 mA): 750V

 

Il ² PAK-7 di H ha raccomandato l'orma (SCT011H75G3AG)

Transistor 750V H2PAK-7 del MOSFET di potere del chip SCT011H75G3AG del circuito integrato di SIC 0

 

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IRFS4228 TO-263

 

FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

Prodotto Tag:

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Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

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