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Transistor del carburo di silicio del chip SCT040W120G3AG del circuito integrato di SIC ampi Bandgap HiP247

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
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—— Nishikawa dal Giappone

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Transistor del carburo di silicio del chip SCT040W120G3AG del circuito integrato di SIC ampi Bandgap HiP247

Transistor del carburo di silicio del chip SCT040W120G3AG del circuito integrato di SIC ampi Bandgap HiP247
SIC Integrated Circuit Chip SCT040W120G3AG Silicon Carbide HiP247 Wide Bandgap Transistors
Transistor del carburo di silicio del chip SCT040W120G3AG del circuito integrato di SIC ampi Bandgap HiP247 Transistor del carburo di silicio del chip SCT040W120G3AG del circuito integrato di SIC ampi Bandgap HiP247

Grande immagine :  Transistor del carburo di silicio del chip SCT040W120G3AG del circuito integrato di SIC ampi Bandgap HiP247

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: SCT040W120G3AG
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: HiP247
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union

Transistor del carburo di silicio del chip SCT040W120G3AG del circuito integrato di SIC ampi Bandgap HiP247

Descrizione
Numero del pezzo: SCT040W120G3AG Dissipazione di potere (massima): 312W
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @: 4.2V @ 5mA Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs: 56 nC @ 18 V
Corrente dello scolo (pulsata): 179 A Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds: 1329 PF @ 800 V

Transistor del carburo di silicio del chip SCT040W120G3AG del circuito integrato di SIC ampi Bandgap HiP247

 

Descrizione di prodotto di SCT040W120G3AG

Dispositivo del MOSFET di potere del carburo di silicio di SCT040W120G3AG. Il dispositivo caratterizza un RDS molto basso (sopra) sopra l'intera gamma di temperature combinata con le capacità basse e le operazioni di commutazione molto alte, che migliorano la prestazione dell'applicazione nella frequenza, nel rendimento energetico, nella dimensione di sistema e nella perdita di peso.

 

Specificazione di SCT040W120G3AG

Numero del pezzo: SCT040W120G3AG Tipo del FET: N-Manica
Vuoti a tensione di fonte (Vdss): 1200 V Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C: 40A (TC)
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On): 18V RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs: 54mOhm @ 16A, 18V

 

Profilo del pacchetto di SCT040W120G3AG

Transistor del carburo di silicio del chip SCT040W120G3AG del circuito integrato di SIC ampi Bandgap HiP247 0

 

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FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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