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I CI scheggiano MT53E512M32D1ZW-046 AAT: Memoria IC del SDRAM-cellulare LPDDR4X di B 16Gbit

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

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I CI scheggiano MT53E512M32D1ZW-046 AAT: Memoria IC del SDRAM-cellulare LPDDR4X di B 16Gbit

I CI scheggiano MT53E512M32D1ZW-046 AAT: Memoria IC del SDRAM-cellulare LPDDR4X di B 16Gbit
ICs Chip MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B 16Gbit SDRAM-Mobile LPDDR4X Memory IC
I CI scheggiano MT53E512M32D1ZW-046 AAT: Memoria IC del SDRAM-cellulare LPDDR4X di B 16Gbit I CI scheggiano MT53E512M32D1ZW-046 AAT: Memoria IC del SDRAM-cellulare LPDDR4X di B 16Gbit

Grande immagine :  I CI scheggiano MT53E512M32D1ZW-046 AAT: Memoria IC del SDRAM-cellulare LPDDR4X di B 16Gbit

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: MT53E512M32D1ZW-046 AAT: B
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: 200-TFBGA
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union

I CI scheggiano MT53E512M32D1ZW-046 AAT: Memoria IC del SDRAM-cellulare LPDDR4X di B 16Gbit

Descrizione
Numero del pezzo: MT53E512M32D1ZW-046 AAT: B Tecnologia: SDRAM - LPDDR4X mobile
Scrivi il tempo del ciclo - Word, Page: 18ns Umidità sensibile:
Montaggio del tipo: Supporto di superficie Pacchetto: 200-TFBGA

I CI scheggiano MT53E512M32D1ZW-046 AAT: Memoria IC del SDRAM-cellulare LPDDR4X di B 16Gbit

 

Descrizione di prodotto di MT53E512M32D1ZW-046 AAT: B

MT53E512M32D1ZW-046 AAT: La memoria di B fornisce un consumo di energia di 5 volte più in basso nella modalità standby confrontata al DRAM standard. MT53E512M32D1ZW-046 AAT: Progettazioni del pacchetto (MCP) e del Pacchetto-su-pacchetto del Multi-chip della caratteristica dei dispositivi di memoria di B (schiocco) che risparmiano lo spazio del PWB.

 

Specificazione di MT53E512M32D1ZW-046 AAT: B

Numero del pezzo:

MT53E512M32D1ZW-046 AAT: B

Organizzazione di memoria:

1G X 32

Montaggio del tipo:

Supporto di superficie

Capacità di memoria:

32 Gbit

Reti wireless:

4Gb

Tipo:

Memoria IC


Caratteristiche di MT53E512M32D1ZW-046 AAT: B

  • Ottimizzato per affrontare le edizioni del consumo di energia nelle applicazioni a pile

  • 5 volte abbassano il consumo di energia nella modalità standby confrontata al DRAM standard

  • Acceleri il time to market con i moduli di qualità DRAM rigorosamente collaudati ad affidabilità in una vasta gamma di applicazioni

 

Altri tipi di prodotto del rifornimento

Numero del pezzo

Pacchetto

MAX3738ETG

QFN24

MAX3747AEUB

MSOP10

MAX3747BEUB

MSOP-10

MAX3748HETE

QFN-16

MAX3799ETJ

QFN-32

MAX5974AETE

TQFN-16

 

FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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