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I CI scheggiano MT29F1G16ABBFAH4-AAT: Memoria parallela di superficie IC del supporto 1Gbit di F 63-VFBGA

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

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I CI scheggiano MT29F1G16ABBFAH4-AAT: Memoria parallela di superficie IC del supporto 1Gbit di F 63-VFBGA

I CI scheggiano MT29F1G16ABBFAH4-AAT: Memoria parallela di superficie IC del supporto 1Gbit di F 63-VFBGA
I CI scheggiano MT29F1G16ABBFAH4-AAT: Memoria parallela di superficie IC del supporto 1Gbit di F 63-VFBGA

Grande immagine :  I CI scheggiano MT29F1G16ABBFAH4-AAT: Memoria parallela di superficie IC del supporto 1Gbit di F 63-VFBGA

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: MT29F1G16ABBFAH4-AAT: F
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: 63-VFBGA
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union

I CI scheggiano MT29F1G16ABBFAH4-AAT: Memoria parallela di superficie IC del supporto 1Gbit di F 63-VFBGA

Descrizione
Numero del pezzo: MT29F1G16ABBFAH4-AAT: F Tecnologia: FLASH - NAND (SLC)
Pacchetto: 63-VFBGA Tensione di rifornimento - min: 1,7 V
Tensione di rifornimento - massima: 1,95 V Corrente del rifornimento - massima: 35 mA

I CI scheggiano MT29F1G16ABBFAH4-AAT: Memoria parallela di superficie IC del supporto 1Gbit di F 63-VFBGA

 

Descrizione di prodotto di MT29F1G16ABBFAH4-AAT: F

MT29F1G16ABBFAH4-AAT: La F può immagazzinare 1 bit dei dati per cellula di memoria con colta veloce e scrivere le capacità. MT29F1G16ABBFAH4-AAT: La F inoltre offre i tempi veloci dello stivale, resistenza eccellente e l'affidabilità e 25nm NAND, algoritmi di CEE del su dado.

 

Specificazione di MT29F1G16ABBFAH4-AAT: F

Numero del pezzo

MT29F1G16ABBFAH4-AAT: F

Capacità di memoria

1Gbit

Organizzazione di memoria

64M x 16

Interfaccia di memoria

Parallelo

Tensione - rifornimento

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di funzionamento

-40°C ~ 105°C (TUM)

 

Caratteristiche del chip del circuito integrato

  • Il NAND è la migliore scelta per le piccole progettazioni e le applicazioni di fattore forma che richiedono la velocità, la resistenza e la sicurezza.

  • La serratura è strettamente un comando del software che impedisce i blocchi bloccati l'apertura ed inoltre impedisce i blocchi sbloccati essere chiusa.

 

Altri componenti elettronici in azione

Numero del pezzo

Pacchetto

TUSB1211A1ZRQR

BGA36

UPA2724UT1A

DFN-8

SFH6326-X017T

SOP-8

88EM8511A1-SAE2C000-T

SOP-8

XC2S100E-6FT256C

BGA

STM8S207S8T6C

QFP-44

 

FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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