Tramite i transistor di arresto di campo della fossa del foro TO-247-4 FGHL75T65LQDTL4 IGBT

Tramite i transistor di arresto di campo della fossa del foro TO-247-4 FGHL75T65LQDTL4 IGBT

 
Descrizione di prodotto di FGHL75T65LQDTL4

FGHL75T65LQDTL4 è la quarta tecnologia di IGBTs della mezzo velocità della generazione confezionata co con completamente un diodo della corrente nominale. FGHL75T65LQDTL4 IGBTs funzionano alla temperatura di giunzione massima 175°C.

Specificazione di FGHL75T65LQDTL4

Caratteristiche dei transistor

• 100% delle parti è provato a ILM

• Commutazione regolare ed ottimizzata

• Distribuzione stretta di parametro

Altri componenti elettronici in azione

FAQ
Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.