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Transistor TO-247-4 dei MOSFETs di N-Manica del chip NVH4L080N120SC1 1200V del circuito integrato

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
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Transistor TO-247-4 dei MOSFETs di N-Manica del chip NVH4L080N120SC1 1200V del circuito integrato

Transistor TO-247-4 dei MOSFETs di N-Manica del chip NVH4L080N120SC1 1200V del circuito integrato
Transistor TO-247-4 dei MOSFETs di N-Manica del chip NVH4L080N120SC1 1200V del circuito integrato Transistor TO-247-4 dei MOSFETs di N-Manica del chip NVH4L080N120SC1 1200V del circuito integrato

Grande immagine :  Transistor TO-247-4 dei MOSFETs di N-Manica del chip NVH4L080N120SC1 1200V del circuito integrato

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: NVH4L080N120SC1
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-247-4
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union

Transistor TO-247-4 dei MOSFETs di N-Manica del chip NVH4L080N120SC1 1200V del circuito integrato

Descrizione
Numero del pezzo: NVH4L080N120SC1 1200 V @ TJ: 175°C
Tipo di RDS (sopra): mΩ 80 Singola energia della valanga di impulso: 171 mJ
VGS = 20 V, IDENTIFICAZIONE = 20 A: RDS massimo (sopra) = 110 m. Gamma di temperature della giunzione di stoccaggio e di funzionamento: −55°C a +175°C

Transistor TO-247-4 dei MOSFETs di N-Manica del chip NVH4L080N120SC1 1200V del circuito integrato

 
Descrizione di prodotto di NVH4L080N120SC1

NVH4L080N120SC1 basso su resistenza e sulla dimensione compatta del chip assicurare la tassa bassa del portone e di capacità. Di conseguenza, i benefici di sistema comprendono l'alta efficienza, frequenza più veloce dell'operazione, aumentata densità di potenza, EMI riduttrice e dimensione di sistema riduttrice.


Specificazione di NVH4L080N120SC1

Numero del pezzo: NVH4L080N120SC1 Tecnologia: SiCFET (carburo di silicio)
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On): 20V Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs: 56 NC @ 20 V
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V Dissipazione di potere (massima): 170mW (TC)

 

Caratteristiche dei transistor

  • 1200 V @ TJ= 175°C
  • La valanga 100% ha provato
  • Commutazione ad alta velocità con la capacità bassa
  • RDS massimo (sopra) = 110 m. a VGS = 20 V, identificazione = 20 A
  • AEC−Q101 si è qualificato e PPAP capace

 

Altri componenti elettronici in azione

Numero del pezzo Pacchetto
AP4800BGM-HF SOP-8
AP7217-33SG SOP-8
AP7217C-13 SOP-8
AP9412BGM SOP8
APA2308 SOP-8
APA4800 SOP8


FAQ
Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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