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modulo automobilistico dei transistor dei moduli DF11MR12W1M1B11BPSA1 2N-Channel di 1200V IGBT

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
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modulo automobilistico dei transistor dei moduli DF11MR12W1M1B11BPSA1 2N-Channel di 1200V IGBT

modulo automobilistico dei transistor dei moduli DF11MR12W1M1B11BPSA1 2N-Channel di 1200V IGBT
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Grande immagine :  modulo automobilistico dei transistor dei moduli DF11MR12W1M1B11BPSA1 2N-Channel di 1200V IGBT

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: DF11MR12W1M1B11BPSA1
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: Modulo
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union

modulo automobilistico dei transistor dei moduli DF11MR12W1M1B11BPSA1 2N-Channel di 1200V IGBT

Descrizione
Numero del pezzo: DF11MR12W1M1B11BPSA1 Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs: 124nC @ 15V
Massimo elettrico: 20mW Montaggio del tipo: Montaggio su telaio
Temperatura di funzionamento: -40°C ~ 150°C (TJ) Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds: 3680pF @ 800V

modulo automobilistico dei transistor dei moduli DF11MR12W1M1B11BPSA1 2N-Channel di 1200V IGBT


Descrizione di prodotto di DF11MR12W1M1B11BPSA1

DF11MR12W1M1B11BPSA1 è modulo del ripetitore di 1200 V/11 mΩ con il MOSFET di CoolSiC™, NTC e la tecnologia del contatto PressFIT, con la valutazione corrente migliorata dei diodi Schottky di CoolSiC™ nella fase di spinta da tenere conto il più alta corrente di ingresso dai pannelli di PV.


Specificazione di DF11MR12W1M1B11BPSA1

Numero del pezzo DF11MR12W1M1B11BPSA1
Tecnologia
Carburo di silicio (sic)
Configurazione
2 N-Manica (doppi)
Vuoti a tensione di fonte (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C
50A (Tj)
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs
22.5mOhm @ 50A, 15V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @
5.55V @ 20mA

 

Caratteristiche di DF11MR12W1M1B11BPSA1

  • Densità a corrente forte
  • Sensore di temperatura integrato di NTC
  • Progettazione induttiva bassa
  • Tecnologia del contatto PressFIT
  • Meglio nelle perdite di commutazione e di conduzione della classe

 

Altri componenti elettronici in azione

Numero del pezzo Pacchetto
BQ294522DRVR QFN
LMX2531LQ2080E QFN
AD9523-1BCPZ QFN
ISP1568AHLUM TQFP
BD2610GW BGA
FH8065301685597 BGA

 

FAQ
Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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