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Modulo automobilistico del carburo di silicio dei moduli DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 2N-Channel di IGBT

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
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Modulo automobilistico del carburo di silicio dei moduli DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 2N-Channel di IGBT

Modulo automobilistico del carburo di silicio dei moduli DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 2N-Channel di IGBT
Modulo automobilistico del carburo di silicio dei moduli DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 2N-Channel di IGBT Modulo automobilistico del carburo di silicio dei moduli DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 2N-Channel di IGBT

Grande immagine :  Modulo automobilistico del carburo di silicio dei moduli DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 2N-Channel di IGBT

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: DF8MR12W1M1HFB67BPSA1
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: Modulo
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union

Modulo automobilistico del carburo di silicio dei moduli DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 2N-Channel di IGBT

Descrizione
Numero del pezzo: DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 Tecnologia: Carburo di silicio (sic)
Vuoti a tensione di fonte (Vdss): 1200V Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @: 5.15V @ 20mA
Massimo elettrico: 20mW Pacchetto/caso: Modulo

Modulo automobilistico del carburo di silicio dei moduli DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 2N-Channel di IGBT


Descrizione di prodotto di DF8MR12W1M1HFB67BPSA1

DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 è matrice 1200V, 45A, supporto del telaio 20mW, un modulo del Mosfet di 2 transistor di N-Manica.


Specificazione di DF8MR12W1M1HFB67BPSA1

Numero del pezzo DF8MR12W1M1HFB67BPSA1
Tecnologia
Carburo di silicio (sic)
Configurazione
2 N-Manica
Caratteristica del FET
Carburo di silicio (sic)
Vuoti a tensione di fonte (Vdss)
1200V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C
45A
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs
16.2mOhm @ 50A, 18V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @
5.15V @ 20mA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs
149nC @ 18V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds
4400pF @ 800V
Massimo elettrico
20mW
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Montaggio del tipo
Supporto del telaio
Pacchetto/caso
Modulo
Pacchetto del dispositivo del fornitore
AG-EASY1B

 

Foto del pacchetto di DF8MR12W1M1HFB67BPSA1

Modulo automobilistico del carburo di silicio dei moduli DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 2N-Channel di IGBT 0

 

Altri componenti elettronici in azione

Numero del pezzo Pacchetto
LM5018SD QFN
CY7C1051DV33-12ZSXIT TSOP-44
EN6347QI QFN
CSD17304Q3 QFN
EN6360QI QFN
TPS54620RGYR QFN

 

FAQ
Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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