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Casa ProdottiModuli automobilistici di IGBT

modulo automobilistico del MOSFET dei moduli FS45MR12W1M1B11BOMA1 20mW 6N-Channel di 25A IGBT

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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modulo automobilistico del MOSFET dei moduli FS45MR12W1M1B11BOMA1 20mW 6N-Channel di 25A IGBT

modulo automobilistico del MOSFET dei moduli FS45MR12W1M1B11BOMA1 20mW 6N-Channel di 25A IGBT
25A Automotive IGBT Modules FS45MR12W1M1B11BOMA1 20mW 6N-Channel MOSFET Module
modulo automobilistico del MOSFET dei moduli FS45MR12W1M1B11BOMA1 20mW 6N-Channel di 25A IGBT modulo automobilistico del MOSFET dei moduli FS45MR12W1M1B11BOMA1 20mW 6N-Channel di 25A IGBT

Grande immagine :  modulo automobilistico del MOSFET dei moduli FS45MR12W1M1B11BOMA1 20mW 6N-Channel di 25A IGBT

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: FS45MR12W1M1B11BOMA1
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: Modulo
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union
Contatto

modulo automobilistico del MOSFET dei moduli FS45MR12W1M1B11BOMA1 20mW 6N-Channel di 25A IGBT

Descrizione
Numero del pezzo: FS45MR12W1M1B11BOMA1 Vuoti a tensione di fonte (Vdss): 1200 V (1,2 kV)
Configurazione: 6 N-Manica (ponte trifase) Montaggio del tipo: Montaggio su telaio
Serie: CoolSiC™+ Tecnologia: Carburo di silicio (sic)

modulo automobilistico del MOSFET dei moduli FS45MR12W1M1B11BOMA1 20mW 6N-Channel di 25A IGBT
 

Descrizione di prodotto di FS45MR12W1M1B11BOMA1
FS45MR12W1M1B11BOMA1 è Mosfet 1200V allinea i moduli del carburo di silicio 6N-Channel (ponte trifase), supporto del telaio.

 

Specificazione di FS45MR12W1M1B11BOMA1

Numero del pezzo: FS45MR12W1M1B11BOMA1 VDSS: 1200V
Identificazione Nom: 25A IDRM: 50A
Configurazione: 6 N-Manica (ponte trifase) RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs: 45mOhm @ 25A, 15V (tipo)

 
Caratteristiche di FS45MR12W1M1B11BOMA1

  • Progettazione induttiva bassa
  • Perdite di commutazione basse
  • DC/DC Wandler
  • Sistemi di UPS

 
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DS1811R-15 SOT-23
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FAQ
Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

Prodotto Tag:

Moduli automobilistici 400A di IGBT,

Modulo di potere di FS380R12A6T4BBPSA1 Igbt,

Modulo 1200V della polvere di IGBT

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

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