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Moduli dei transistor IGBT di arresto di campo della fossa di FP75R12N2T7BPSA2 1200V 75A 20mW

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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Moduli dei transistor IGBT di arresto di campo della fossa di FP75R12N2T7BPSA2 1200V 75A 20mW

Moduli dei transistor IGBT di arresto di campo della fossa di FP75R12N2T7BPSA2 1200V 75A 20mW
Moduli dei transistor IGBT di arresto di campo della fossa di FP75R12N2T7BPSA2 1200V 75A 20mW Moduli dei transistor IGBT di arresto di campo della fossa di FP75R12N2T7BPSA2 1200V 75A 20mW

Grande immagine :  Moduli dei transistor IGBT di arresto di campo della fossa di FP75R12N2T7BPSA2 1200V 75A 20mW

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: FP75R12N2T7BPSA2
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: Modulo
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union

Moduli dei transistor IGBT di arresto di campo della fossa di FP75R12N2T7BPSA2 1200V 75A 20mW

Descrizione
Numero del pezzo: FP75R12N2T7BPSA2 Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima: 1200 V
Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore: 1,55 V Corrente di collettore continua a 25 C: 75 A
RTI elett.: 140°C Modulo smarrito di induttanza: 35nH

Moduli dei transistor IGBT di arresto di campo della fossa di FP75R12N2T7BPSA2 1200V 75A 20mW


Descrizione di prodotto di FP75R12N2T7BPSA2
FP75R12N2T7BPSA2 comprendono le applicazioni a tre livelli, gli azionamenti del motore, le applicazioni solari ed i sistemi di UPS in moduli di EasyPACK™.


Specificazione di FP75R12N2T7BPSA2

Numero del pezzo

FP75R12N2T7BPSA2

Corrente - taglio del collettore (massimo)

µA 14

Capacità introdotta (Cies) @ Vce

N-F 15,1 @ 25 V

Input

Raddrizzatore a ponte trifase

Termistore di NTC

 
Caratteristiche dei moduli automobilistici di IGBT

  • materiale termico Pre-applicato dell'interfaccia

  • Operazione di sovraccarico fino a 175°C

  • VCE basso, si è seduto

 

Altri componenti elettronici in azione

Numero del pezzo

Pacchetto

SD9218-BBG

BGA

SE2528L-R

QFN

SE2529L-R

QFN

SFH1690AT

CONTENTINO

SF-FP2000

CONTENTINO

SFH6106-1

SOP-4


FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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