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modulo automobilistico di matrice del Mosfet dei moduli 1200V di 2N-Channel FF3MR12KM1HOSA1 IGBT

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Modulo doppio automobilistico dei moduli FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A IGBT di IGBT

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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modulo automobilistico di matrice del Mosfet dei moduli 1200V di 2N-Channel FF3MR12KM1HOSA1 IGBT

modulo automobilistico di matrice del Mosfet dei moduli 1200V di 2N-Channel FF3MR12KM1HOSA1 IGBT
2N-Channel FF3MR12KM1HOSA1 Automotive IGBT Modules 1200V Mosfet Array Module
modulo automobilistico di matrice del Mosfet dei moduli 1200V di 2N-Channel FF3MR12KM1HOSA1 IGBT modulo automobilistico di matrice del Mosfet dei moduli 1200V di 2N-Channel FF3MR12KM1HOSA1 IGBT

Grande immagine :  modulo automobilistico di matrice del Mosfet dei moduli 1200V di 2N-Channel FF3MR12KM1HOSA1 IGBT

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: FF3MR12KM1HOSA1
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: Modulo
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union
Contatto

modulo automobilistico di matrice del Mosfet dei moduli 1200V di 2N-Channel FF3MR12KM1HOSA1 IGBT

Descrizione
Numero del pezzo: FF3MR12KM1HOSA1 Vuoti a tensione di fonte (Vdss): 1200 V (1,2 kV)
Temperatura di funzionamento (min): -40°C (TJ) Configurazione: 2 N-Manica (mezzo ponte)
Serie: CoolSiC™ Montaggio del tipo: Montaggio su telaio

modulo automobilistico di matrice del Mosfet dei moduli 1200V di 2N-Channel FF3MR12KM1HOSA1 IGBT


Descrizione di prodotto di FF3MR12KM1HOSA1

FF3MR12KM1HOSA1 è di 62 millimetri 1200 V, 2 mezzo modulo del ponte di m. Ω facendo uso del chip del MOSFET del ™ di CoolSiC.


Specificazione di FF3MR12KM1HOSA1

Numero del pezzo: FF3MR12KM1HOSA1 RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs: 2.13mOhm @ 500A, 15V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds: 39700pF @ 800V Pacchetto/caso: Modulo
Tecnologia: MOSFET (ossido di metallo) Temperatura di funzionamento (massima): 150°C (TJ)

 

Applicazioni di FF3MR12KM1HOSA1

  • Applicazioni solari
  • Applicazione di commutazione ad alta frequenza

 

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FAQ
Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine

Prodotto Tag:

Moduli automobilistici 400A di IGBT,

Modulo di potere di FS380R12A6T4BBPSA1 Igbt,

Modulo 1200V della polvere di IGBT

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

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