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Fossa automobilistica 2Independent dei moduli 20mW del modulo FF23MR12W1M1PB11BPSA1 IGBT di IGBT

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Fossa automobilistica 2Independent dei moduli 20mW del modulo FF23MR12W1M1PB11BPSA1 IGBT di IGBT

Fossa automobilistica 2Independent dei moduli 20mW del modulo FF23MR12W1M1PB11BPSA1 IGBT di IGBT
Fossa automobilistica 2Independent dei moduli 20mW del modulo FF23MR12W1M1PB11BPSA1 IGBT di IGBT Fossa automobilistica 2Independent dei moduli 20mW del modulo FF23MR12W1M1PB11BPSA1 IGBT di IGBT

Grande immagine :  Fossa automobilistica 2Independent dei moduli 20mW del modulo FF23MR12W1M1PB11BPSA1 IGBT di IGBT

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: FF23MR12W1M1PB11BPSA1
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: Modulo
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union

Fossa automobilistica 2Independent dei moduli 20mW del modulo FF23MR12W1M1PB11BPSA1 IGBT di IGBT

Descrizione
Numero del pezzo: FF23MR12W1M1PB11BPSA1 Tipo IGBT: Fossa
Configurazione: 2 indipendente Corrente - collettore (CI) (massimo): 50 A
Input: Norma Serie: CoolSiC™+

Fossa automobilistica 2Independent dei moduli 20mW del modulo FF23MR12W1M1PB11BPSA1 IGBT di IGBT


Descrizione di prodotto di FF23MR12W1M1PB11BPSA1

FF23MR12W1M1PB11BPSA1 è modulo del ponte del 1B 1200 V/23 m. Ω del ™ di EasyDUAL mezzo facendo uso del MOSFET del ™ di CoolSiC, rilevazione della temperatura di NTC, la tecnologia di piegatura PressFIT e pre ha ricoperto i materiali termici dell'interfaccia.


Specificazione di FF23MR12W1M1PB11BPSA1

Numero del pezzo FF23MR12W1M1PB11BPSA1
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima)
1200 V
Corrente - collettore (CI) (massimo)
50 A
Massimo elettrico
20 Mw
Capacità introdotta (Cies) @ Vce
3,68 N-F @ 800 V

 
Caratteristiche dei moduli automobilistici di IGBT

  • Modulo doppio del MOSFET del ™ di 1200 V CoolSiC
  • Capacità introdotta (Cies) @ Vce: 3,68 N-F @ 800 V
  • Adozione rilevazione della temperatura del MOSFET, di NTC del ™ di CoolSiC, tecnologia di piegatura PressFIT e materiali termici pre rivestiti dell'interfaccia.

 

Altri componenti elettronici in azione

Numero del pezzo Pacchetto
LT3022EDHC QFN
SKY77742-21 QFN
PBSS4021SPN SOP8
LTC6254IMS MSOP16
ADC141S626CIMM VSSOP
EP3C10M164C8N BGA


FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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