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128Mbit chip 24-VBGA pseudo SRAM del circuito integrato del chip di memoria S70KS1282GABHV023

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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128Mbit chip 24-VBGA pseudo SRAM del circuito integrato del chip di memoria S70KS1282GABHV023

128Mbit chip 24-VBGA pseudo SRAM del circuito integrato del chip di memoria S70KS1282GABHV023
128Mbit chip 24-VBGA pseudo SRAM del circuito integrato del chip di memoria S70KS1282GABHV023

Grande immagine :  128Mbit chip 24-VBGA pseudo SRAM del circuito integrato del chip di memoria S70KS1282GABHV023

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: S70KS1282GABHV023
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: 24-VBGA
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union

128Mbit chip 24-VBGA pseudo SRAM del circuito integrato del chip di memoria S70KS1282GABHV023

Descrizione
Numero della parte: S70KS1282GABHV023 Supporto dell'interfaccia: 1,8 V/3,0 V
Temperatura di funzionamento (min): -40°C (TUM) Confezione / Cassa: 24-VBGA
Temperatura di funzionamento (massima): 105°C (TUM) Lunghezze scoppiate avvolte: 128 byte (64 orologi)

128Mbit chip 24-VBGA pseudo SRAM del circuito integrato del chip di memoria S70KS1282GABHV023

 

Descrizione di prodotto di S70KS1282GABHV023

S70KS1282GABHV023 è interfaccia di HYPERBUS™, 1,8 V/3.0 V, 128 Mb HYPERRAM™ auto-rinfresca il chip di memoria di DRAM (PSRAM).

 

Specificazione di S70KS1282GABHV023

Numero del pezzo
S70KS1282GABHV023
Formato di memoria
PSRAM
Tipo di memoria
Volatile
Capacità di memoria
128Mbit
Organizzazione di memoria
16M x 8
Tecnologia PSRAM (pseudo SRAM)

 

Caratteristiche di S70KS1282GABHV023

  • Interfaccia di HYPERBUS™
  • 1,8 supporto dell'interfaccia di V/3,0 V
  • Lunghezze scoppiate avvolte: 128 byte (64 orologi)
  • Forza configurabile dell'azionamento dell'uscita

 

Altri tipi di prodotto del rifornimento

Numero del pezzo Pacchetto
STM32L4R5VGT6 LQFP100
STM32L4R5VIT6 LQFP100
STM32L4R5ZGT6 LQFP144
STM32L562QEI6 UFBGA132
STM32L562QEI6P UFBGA132
STM32L562RET6 LQFP-64

 

FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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