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del circuito integrato 64Mbit pseudo SRAM chip di memoria 200MHz del chip S27KS0642GABHM020

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
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—— Nishikawa dal Giappone

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del circuito integrato 64Mbit pseudo SRAM chip di memoria 200MHz del chip S27KS0642GABHM020

del circuito integrato 64Mbit pseudo SRAM chip di memoria 200MHz del chip S27KS0642GABHM020
del circuito integrato 64Mbit pseudo SRAM chip di memoria 200MHz del chip S27KS0642GABHM020 del circuito integrato 64Mbit pseudo SRAM chip di memoria 200MHz del chip S27KS0642GABHM020

Grande immagine :  del circuito integrato 64Mbit pseudo SRAM chip di memoria 200MHz del chip S27KS0642GABHM020

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: S27KS0642GABHM020
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: 24-VBGA
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union

del circuito integrato 64Mbit pseudo SRAM chip di memoria 200MHz del chip S27KS0642GABHM020

Descrizione
Numero della parte: S27KS0642GABHM020 Tecnologia: 38-nm DRAM
Canale omnibus di dati: canale omnibus di dati di 8 bit Interfaccia della memoria: HyperBus
Dimensione della memoria: 64Mbit Orologio differenziale facoltativo (CK, CK#): 12 segnali del bus

Chip di circuito integrato 64Mbit S27KS0642GABHM020 Pseudo SRAM Memory Chip 200MHz

 

Descrizione del prodottoS27KS0642GABHM020

S27KS0642GABHM020 HyperRAM da 64 Mb è una DRAM CMOS ad alta velocità, auto-aggiornamento, con interfaccia HyperBus.La logica di controllo di aggiornamento all'interno del dispositivo gestisce le operazioni di aggiornamento sulla matrice DRAM quando la memoria non viene attivamente letta o scritta dal master di interfaccia HyperBus (host).

 

Specifica diS27KS0642GABHM020

Numero della parte: S27KS0642GABHM020 Tasso di orologeria massimo: 200 MHz
Tempo di accesso massimo (TACC): 35 Ns Moduli di alimentazione: Modalita' di sonno ibrido, spegnimento di potenza
Voltaggio - alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Confezione del dispositivo: 24-FBGA (6x8)

 

Caratteristiche diS27KS0642GABHM020

  • Tecnologia: DRAM da 38 nm
  • Caratteristiche di scoppio configurabili
  • Output all'inizio di tutte le transazioni per indicare la latenza di aggiornamento
  • Orologio differenziale opzionale (CK, CK#) - 12 segnali di bus

 

Altri tipi di prodotti di fornitura

Numero della parte Pacco
STM32U585QII6 UFBGA132
STM32U585RIT6 LQFP64
STM32U585RIT6Q LQFP-64
STM32U585VIT6 LQFP100
STM32U585ZIT6Q LQFP-144
STM32U585AII6 UFBGA169

 

Domande frequenti

D: I vostri prodotti sono originali?
A: Sì, tutti i prodotti sono originali, nuova importazione originale è il nostro scopo.
D: Quali certificati ha?
R: Siamo una società certificata ISO 9001:2015 e membro di ERAI.
D: Puoi supportare ordini o campioni in piccole quantità?Il campione è gratuito?
R: Sì, sosteniamo l'ordine di campione e il piccolo ordine. Il costo del campione è diverso a seconda del tuo ordine o progetto.
D: Come spedisco il mio ordine?
R: Usiamo l'espresso per spedire, come DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS. Possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito.I prodotti saranno in buona confezione e garantire la sicurezza e siamo responsabili per i danni prodotti al vostro ordine.
D: Che mi dici del tempo di consegna?
R: Possiamo spedire le parti in magazzino entro 5 giorni lavorativi. Se senza magazzino, confermeremo il tempo di consegna in base alla quantità dell'ordine.

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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