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Moduli semiconduttori discreti MSCSM120AM042CT6AG Transistor Montaggio su telaio

Name: Moduli semiconduttori discreti MSCSM120AM042CT6AG Transistor Montaggio su telaio
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: MSCSM120AM042CT6AG
Availability: InStock

Tutti i prodotti

Chip del circuito integrato
(18191)

BT IC
(521)

Moduli automobilistici di IGBT
(1884)

Microcontroller MCU
(12299)

GaN IC
(51)

Chip di elaborazione AI
(1168)

Gate array programmabile del campo
(6582)

CI ethernet
(938)

Connettori
(2853)

Chip IC di memoria
(2435)

Sensore IC
(2166)

Chip IoT
(232)

Modulo 5G
(132)

Chip di WiFi 6
(138)

Chip di Iphone IC
(55)

Modulo di comunicazione senza fili
(3271)

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(8)

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Certificazione

La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni

Rassegne del cliente

È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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Moduli semiconduttori discreti MSCSM120AM042CT6AG Transistor Montaggio su telaio

Grande immagine : Moduli semiconduttori discreti MSCSM120AM042CT6AG Transistor Montaggio su telaio

Dettagli:

Luogo di origine:	CN
Marca:	Original Factory
Certificazione:	Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello:	MSCSM120AM042CT6AG

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	10
Prezzo:	Contact for Sample
Imballaggi particolari:	Modulo
Tempi di consegna:	5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento:	T/T, L/C, Western Union

Contatto

Moduli semiconduttori discreti MSCSM120AM042CT6AG Transistor Montaggio su telaio

Descrizione

Numero del pezzo:	MSCSM120AM042CT6AG	Tipo:	Gamba di fase
Identificazione - Corrente continua dello scolo:	495 A	Palladio - dissipazione di potere:	W 2031
RDS sopra:	5,2 mOhms	Vds:	1,2 kV

Moduli semiconduttori discreti MSCSM120AM042CT6AG Transistor Montaggio su telaio

Descrizione del prodotto diMSCSM120AM042CT6AG

I moduli di potenza MSCSM120AM042CT6AG presentano un package SP6LI a induttanza estremamente bassa, con un'induttanza parassita massima di 3nH.

Specifica diMSCSM120AM042CT6AG

Numero parte	MSCSM120AM042CT6AG
Id - Corrente di scarico continua:	495 A
Pd - Dissipazione di potenza:	2031W
Tipologia di prodotto:	Moduli discreti a semiconduttore
Rds On - Resistenza Drain-Source:	5,2 mOhm

CaratteristicheDiMSCSM120AM042CT6AG

Diodo Schottky SiC
Recupero inverso pari a zero
Zero recupero in avanti

Altri tipi di prodotti di fornitura

Numero parte	Pacchetto
P80C31SBAA	PLCC-44
ADUM1210BRZ	SOP-8
FMS6502MTC24X	TSSOP24
ADM13307-5ARZRL7	SOP8
ZSC31150	SSOP14
MC56F8255VLD	LQFP-44

FAQ

D: I tuoi prodotti sono originali?
A: Sì, tutti i prodotti sono originali, la nuova importazione originale è il nostro scopo.
D: Quali certificati hai?
R: Siamo un'azienda certificata ISO 9001:2015 e membro di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione di piccola quantità? Il campione è gratuito?
A: Sì, supportiamo l'ordine del campione e il piccolo ordine. Il costo del campione è diverso in base al tuo ordine o progetto.
D: Come spedire il mio ordine?È sicuro?
A: Usiamo espresso per spedire, come DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Possiamo anche usare il tuo spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in un buon imballaggio e garantiranno la sicurezza e siamo responsabili per danni al prodotto al tuo ordine.
D: E il tempo di consegna?
A: Possiamo spedire parti in stock entro 5 giorni lavorativi. Se senza stock, confermeremo i tempi di consegna per te in base alla quantità dell'ordine.

Prodotto Tag:

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @: 5.55V @ 240mA

modulo livellato F3L400R10W3S7B11BPSA1 dei moduli 3 automobilistici IGBT di 950V 400A IGBT

Numero della parte: F3L400R10W3S7B11BPSA1

Tipo IGBT: Fossa

Status del prodotto: Attivo

Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max): 950 V

Fermata di campo della fossa del modulo 950V 310A di F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima): 950 V

Corrente - collettore (CI) (massimo): 310 A

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Potenza - Max: 20 mW

Moduli semiconduttori discreti MSCSM120AM042CT6AG Transistor Montaggio su telaio

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