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Casa ProdottiModuli automobilistici di IGBT

Transistor discreti a semiconduttore di matrice 1.7kV 124A del Mosfet di MSCSM170AM23CT1AG

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

—— Luis dagli Stati Uniti

Alta qualità e prestazioni affidabili: "I componenti elettronici che abbiamo ricevuto da [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] sono di alta qualità e hanno dimostrato prestazioni affidabili nei nostri dispositivi".

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Transistor discreti a semiconduttore di matrice 1.7kV 124A del Mosfet di MSCSM170AM23CT1AG

Transistor discreti a semiconduttore di matrice 1.7kV 124A del Mosfet di MSCSM170AM23CT1AG
Transistor discreti a semiconduttore di matrice 1.7kV 124A del Mosfet di MSCSM170AM23CT1AG

Grande immagine :  Transistor discreti a semiconduttore di matrice 1.7kV 124A del Mosfet di MSCSM170AM23CT1AG

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: MSCSM170AM23CT1AG
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: Modulo
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union
Contatto

Transistor discreti a semiconduttore di matrice 1.7kV 124A del Mosfet di MSCSM170AM23CT1AG

Descrizione
Numero del pezzo: MSCSM170AM23CT1AG Configurazione: 2 Manica di N (gamba di fase)
VGS: 20 V corrente di perdita di Portone-fonte: 200nA
Energia d'apertura: 2.2mJ Resistenza termica del Giunzione--caso: 0.25°C/W

Transistor discreti a semiconduttore di matrice 1.7kV 124A del Mosfet di MSCSM170AM23CT1AG

 

Descrizione di prodotto di MSCSM170AM23CT1AG

MSCSM170AM23CT1AG caratterizza l'alta tensione di blocco, l'induttanza smarrita molto bassa, il peso ultrabasso e la giunzione bassa per rivestire la resistenza termica.

 

Specificazione di MSCSM170AM23CT1AG

Numero del pezzo:

MSCSM170AM23CT1AG

Scolo-fonte su resistenza:

15 MΩ

Dissipazione di potere:

862W

Capacità di uscita:

450pF

Tempo di caduta:

19ns

Resistenza interna del portone:

1.95Ω

 

Caratteristiche di MSCSM170AM23CT1AG

  • Alta tensione di blocco

  • Induttanza smarrita molto bassa

 

Altri tipi di prodotto del rifornimento

Numero del pezzo

Pacchetto

RF5626

QFN

SFH421Z

SMD

LCMXO2-640HC-4TG100I

TQFP100

ADV7182WBCPZ

LFCSP32

IPA60R380P6

TO-220F

BFQ149

SOT89

 

FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

Prodotto Tag:

Moduli automobilistici 400A di IGBT,

Modulo di potere di FS380R12A6T4BBPSA1 Igbt,

Modulo 1200V della polvere di IGBT

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

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