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moduli automobilistici del MOSFET di potere dei moduli MSCSM120SKM11CT3AG 254A di 4000Vrms IGBT

Name: moduli automobilistici del MOSFET di potere dei moduli MSCSM120SKM11CT3AG 254A di 4000Vrms IGBT
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: MSCSM120SKM11CT3AG
Availability: InStock

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Certificazione

La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni

Rassegne del cliente

È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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moduli automobilistici del MOSFET di potere dei moduli MSCSM120SKM11CT3AG 254A di 4000Vrms IGBT

Grande immagine : moduli automobilistici del MOSFET di potere dei moduli MSCSM120SKM11CT3AG 254A di 4000Vrms IGBT

Dettagli:

Luogo di origine:	CN
Marca:	Original Factory
Certificazione:	Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello:	MSCSM120SKM11CT3AG

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	10
Prezzo:	Contact for Sample
Imballaggi particolari:	Modulo
Tempi di consegna:	5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento:	T/T, L/C, Western Union

Contatto

moduli automobilistici del MOSFET di potere dei moduli MSCSM120SKM11CT3AG 254A di 4000Vrms IGBT

Descrizione

Numero del pezzo:	MSCSM120SKM11CT3AG	Montaggio del tipo:	Montaggio su telaio
Tensione - isolamento:	4000Vrms	Tensione:	1,2 kV
Corrente:	254 A	Configurazione:	1 fase

moduli automobilistici del MOSFET di potere dei moduli MSCSM120SKM11CT3AG 254A di 4000Vrms IGBT

Descrizione di prodotto di MSCSM120SKM11CT3AG

MSCSM120SKM11CT3AG è un modulo di potere pieno del carburo di silicio del selettore rotante 1200 V/254 A del dollaro (sic). Induttanza smarrita molto bassa, prestazione eccezionale all'operazione ad alta frequenza.

Specificazione di MSCSM120SKM11CT3AG

Numero del pezzo	MSCSM120SKM11CT3AG
Prodotto:	Moduli del MOSFET di potere
Tipo:	Buck Chopper
Tecnologia:	Sic
Vf - tensione di andata:	1,5 V a 180 A
Vr - tensione inversa:	1,2 chilovolt
Vgs - tensione di Portone-fonte:	- 10 V, 25 V
Montaggio dello stile:	Innesto a vite
Pacchetto/caso:	SP3F
Temperatura di funzionamento minima:	- 40 C
Temperatura di funzionamento massima:	+ 125 C

Disegno schematico elettrico di MSCSM120SKM11CT3AG

moduli automobilistici del MOSFET di potere dei moduli MSCSM120SKM11CT3AG 254A di 4000Vrms IGBT 0

Altri tipi di prodotto del rifornimento

Numero del pezzo	Pacchetto
48258-0002	USB
503480-0600	SMD
BCR321U	SOT23-6
BCM11107KFBG	BGA
PM5440B	BGA
DS90UB928QSQX	WQFN-48

FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

Prodotto Tag:

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C: 400A

RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @: 5.55V @ 240mA

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Numero della parte: F3L400R10W3S7B11BPSA1

Tipo IGBT: Fossa

Status del prodotto: Attivo

Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max): 950 V

Fermata di campo della fossa del modulo 950V 310A di F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima): 950 V

Corrente - collettore (CI) (massimo): 310 A

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Caratteristica del FET: Carburo di silicio (SiC)

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Tipo di montaggio: Montaggio del telaio

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