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modulo di potere del MOSFET del carburo di silicio di fonte comune 2N-Channel MSCSM70DUM07T3AG 988W

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

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modulo di potere del MOSFET del carburo di silicio di fonte comune 2N-Channel MSCSM70DUM07T3AG 988W

modulo di potere del MOSFET del carburo di silicio di fonte comune 2N-Channel MSCSM70DUM07T3AG 988W
modulo di potere del MOSFET del carburo di silicio di fonte comune 2N-Channel MSCSM70DUM07T3AG 988W

Grande immagine :  modulo di potere del MOSFET del carburo di silicio di fonte comune 2N-Channel MSCSM70DUM07T3AG 988W

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: MSCSM70DUM07T3AG
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: Modulo
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union

modulo di potere del MOSFET del carburo di silicio di fonte comune 2N-Channel MSCSM70DUM07T3AG 988W

Descrizione
Numero del pezzo: MSCSM70DUM07T3AG Massimo elettrico: 988W (TC)
Temperatura di funzionamento: -40°C ~ 175°C (TJ) Montaggio del tipo: Montaggio su telaio
Pacchetto/caso: Modulo Pacchetto del dispositivo del fornitore: SP3F

Modulo di alimentazione MOSFET MSCSM70DUM07T3AG in carburo di silicio sorgente comune 2N canali 988W

 

Descrizione del prodotto diMSCSM70DUM07T3AG

MSCSM70DUM07T3AG è un modulo di alimentazione MOSFET dual common source in carburo di silicio (SiC) da 700 V/353 A.

 

Specifica diMSCSM70DUM07T3AG

Numero parte MSCSM70DUM07T3AG
Tecnologia
Carburo di silicio (SiC)
Configurazione
2 Sorgente comune a canale N (doppia).
Tensione drain-source (Vdss)
700V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
353A (TC)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6,4 mOhm a 120 A, 20 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2,4 V a 12 mA
Carica di Gate (Qg) (Max) @ Vgs
645nC @ 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
13500 pF a 700 V

 

Schema Elettrico DiMSCSM70DUM07T3AG

modulo di potere del MOSFET del carburo di silicio di fonte comune 2N-Channel MSCSM70DUM07T3AG 988W 0

 

Altri tipi di prodotti di fornitura

Numero parte Pacchetto
AXA463061P SMD
ZXGD3105N8TC SOP-8
FMS6502MTC24X TSSOP24
LTC3547BEDDB DFN-8
IW1788-46 SOP8
ACPL-M61T SOP5


FAQ

D: I tuoi prodotti sono originali?
A: Sì, tutti i prodotti sono originali, la nuova importazione originale è il nostro scopo.
D: Quali certificati hai?
R: Siamo un'azienda certificata ISO 9001:2015 e membro di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione di piccola quantità? Il campione è gratuito?
A: Sì, supportiamo l'ordine del campione e il piccolo ordine. Il costo del campione è diverso in base al tuo ordine o progetto.
D: Come spedire il mio ordine?È sicuro?
A: Usiamo espresso per spedire, come DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Possiamo anche usare il tuo spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in un buon imballaggio e garantiranno la sicurezza e siamo responsabili per danni al prodotto al tuo ordine.
D: E il tempo di consegna?
A: Possiamo spedire parti in stock entro 5 giorni lavorativi. Se senza stock, confermeremo i tempi di consegna per te in base alla quantità dell'ordine.

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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