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Supporto automobilistico del telaio dei transistor del modulo di potere dei moduli MSCSM70HM19CT3AG di IGBT

Name: Supporto automobilistico del telaio dei transistor del modulo di potere dei moduli MSCSM70HM19CT3AG di IGBT
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: MSCSM70HM19CT3AG
Availability: InStock

Tutti i prodotti

Chip del circuito integrato
(18412)

BT IC
(524)

Moduli automobilistici di IGBT
(1937)

Microcontroller MCU
(12427)

GaN IC
(51)

Chip di elaborazione AI
(1169)

Gate array programmabile del campo
(6582)

CI ethernet
(938)

Connettori
(2853)

Chip IC di memoria
(2435)

Sensore IC
(2168)

Chip IoT
(232)

Modulo 5G
(132)

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Certificazione

La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni

Rassegne del cliente

È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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Supporto automobilistico del telaio dei transistor del modulo di potere dei moduli MSCSM70HM19CT3AG di IGBT

Grande immagine : Supporto automobilistico del telaio dei transistor del modulo di potere dei moduli MSCSM70HM19CT3AG di IGBT

Dettagli:

Luogo di origine:	CN
Marca:	Original Factory
Certificazione:	Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello:	MSCSM70HM19CT3AG

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	10
Prezzo:	Contact for Sample
Imballaggi particolari:	Modulo
Tempi di consegna:	5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento:	T/T, L/C, Western Union

Contatto

Supporto automobilistico del telaio dei transistor del modulo di potere dei moduli MSCSM70HM19CT3AG di IGBT

Descrizione

Numero del pezzo:	MSCSM70HM19CT3AG	Massimo elettrico:	365W (TC)
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds:	4500pF @ 700V	Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs:	215nC @ 20V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @:	2.4V @ 4mA	RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs:	19mOhm @ 40A, 20V

Supporto automobilistico del telaio dei transistor del modulo di potere dei moduli MSCSM70HM19CT3AG di IGBT

Descrizione di prodotto di MSCSM70HM19CT3AG

I moduli di potere del MOSFET di MSCSM70HM19CT3AG sono costruiti con sic i MOSFETs e sic i diodi e quindi per combinare i vantaggi di entrambi i dispositivi. I moduli di potere di MSCSM70HM19CT3AG caratterizzano estremamente - un pacchetto basso di induttanza SP3F, con un'induttanza smarrita massima di 3nH.

Specificazione di MSCSM70HM19CT3AG

Numero del pezzo:	MSCSM70HM19CT3AG	Tensione inversa:	1,2 CHILOVOLT
Tensione di Portone-fonte:	- 10 V, + 25 V	Tensione di andata:	1,5 V a 15 A
Vds:	1,2 CHILOVOLT	Vgs:	1,8 V

Applicazioni di MSCSM70HM19CT3AG

Riscaldamento di induzione
Alimentazioni elettriche mediche
(PV) convertitori fotovoltaici di /solar/wind
Alimentazione elettrica ininterrotta

Altri tipi di prodotto del rifornimento

Numero del pezzo	Pacchetto
SCH5627	QFP-128
MPQ4560DN	SOP8
MBR230LSFT1G	SOD-123
OPA345NA	SOT23-5
R5S726B0D216FP	QFP144
BH5510KV	TQFP48

FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

Prodotto Tag:

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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Vuoti a tensione di fonte (Vdss): 1200V (1.2kV)

Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C: 400A

RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @: 5.55V @ 240mA

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Numero della parte: F3L400R10W3S7B11BPSA1

Tipo IGBT: Fossa

Status del prodotto: Attivo

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Fermata di campo della fossa del modulo 950V 310A di F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima): 950 V

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Potenza - Max: 20 mW

Supporto automobilistico del telaio dei transistor del modulo di potere dei moduli MSCSM70HM19CT3AG di IGBT

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