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Transistor di giunzione del carburo di silicio del chip TO-247-4 del circuito integrato di IMYH200R075M1H

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

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Transistor di giunzione del carburo di silicio del chip TO-247-4 del circuito integrato di IMYH200R075M1H

Transistor di giunzione del carburo di silicio del chip TO-247-4 del circuito integrato di IMYH200R075M1H
IMYH200R075M1H Integrated Circuit Chip TO-247-4 Silicon Carbide Junction Transistor
Transistor di giunzione del carburo di silicio del chip TO-247-4 del circuito integrato di IMYH200R075M1H Transistor di giunzione del carburo di silicio del chip TO-247-4 del circuito integrato di IMYH200R075M1H

Grande immagine :  Transistor di giunzione del carburo di silicio del chip TO-247-4 del circuito integrato di IMYH200R075M1H

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: IMYH200R075M1H
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-247-4
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union

Transistor di giunzione del carburo di silicio del chip TO-247-4 del circuito integrato di IMYH200R075M1H

Descrizione
Numero del pezzo: IMYH200R075M1H Montaggio dello stile: Attraverso il foro
Pacchetto/caso: PG-TO247-4 Numero dei canali: 1 Manica
Transconduttanza di andata - min: 6,5 S Palladio - dissipazione di potere: 267 W

Transistor di giunzione del carburo di silicio del chip TO-247-4 del circuito integrato di IMYH200R075M1H

 

Descrizione di prodotto di IMYH200R075M1H

IMYH200R075M1H è MOSFET della fossa di CoolSiC™ 2000 V sic, transistor di giunzione del carburo di silicio.

 

Specificazione di IMYH200R075M1H

Numero del pezzo: IMYH200R075M1H
2 chilovolt
34 A
98 mOhms
- 10 V, + 23 V
3,5 V
64 nC

 

Caratteristiche di IMYH200R075M1H

  • Diodo robusto del corpo per commutazione dura
  • Tensione della soglia del portone del punto di riferimento, VGS (Th) = 4,5 V
  • Tecnologia di collegamento di .XT per la prestazione termica classa miglirice

 

Altri componenti elettronici in azione

Numero del pezzo Pacchetto
TDA5102 TSSOP16
TRS207CDWR SOP24
TRS211CDWR SOP28
TRS3318ECDBR SSOP20
FSBB10CH120D SPM27
TMS320C5545AZQW10 BGA118


FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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