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Transistor di giunzione del carburo di silicio del MOSFET IMYH200R012M1H 2000V di N-Manica TO-247-4

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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Transistor di giunzione del carburo di silicio del MOSFET IMYH200R012M1H 2000V di N-Manica TO-247-4

Transistor di giunzione del carburo di silicio del MOSFET IMYH200R012M1H 2000V di N-Manica TO-247-4
N-Channel MOSFET IMYH200R012M1H 2000V Silicon Carbide Junction Transistor TO-247-4
Transistor di giunzione del carburo di silicio del MOSFET IMYH200R012M1H 2000V di N-Manica TO-247-4 Transistor di giunzione del carburo di silicio del MOSFET IMYH200R012M1H 2000V di N-Manica TO-247-4

Grande immagine :  Transistor di giunzione del carburo di silicio del MOSFET IMYH200R012M1H 2000V di N-Manica TO-247-4

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: IMYH200R012M1H
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-247-4
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union
Contatto

Transistor di giunzione del carburo di silicio del MOSFET IMYH200R012M1H 2000V di N-Manica TO-247-4

Descrizione
Numero del pezzo: IMYH200R012M1H Serie: CoolSiC™
Vgs (massimo): +20V, -7V Dissipazione di potere (massima): 552W (TC)
Temperatura di funzionamento: -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio del tipo: Attraverso il foro

Transistor di giunzione del carburo di silicio del MOSFET IMYH200R012M1H 2000V di N-Manica TO-247-4

 

Descrizione di prodotto di IMYH200R012M1H

IMYH200R012M1H è transistor di giunzione del carburo di silicio dei MOSFETs di N-Manica, attraverso il foro, pacchetto è TO-247-4.

 

Specificazione di IMYH200R012M1H

Numero del pezzo IMYH200R012M1H
Tipo del FET
N-Manica
Tecnologia
Sic (transistor di giunzione del carburo di silicio)
Vuoti a tensione di fonte (Vdss)
2000 V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C
123A (TC)
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs
16.5mOhm @ 60A, 18V

 

Caratteristiche di IMYH200R012M1H

  • RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs: 16.5mOhm @ 60A, 18V
  • Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @: 5.5V @ 48mA
  • Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs: 246 nC @ 18 V

 

Altri componenti elettronici in azione

Numero del pezzo Pacchetto
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CM3202-00DE QFN
5AGZME1E3H29C4N BGA
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FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

Prodotto Tag:

Chip 24-PQFN del circuito integrato,

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Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

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