logo
  • Italian
    English
    French
    German
    Italian
    Russian
    Spanish
    Portuguese
    Dutch
    Greek
    Japanese
    Korean
    Arabic
    Hindi
    Turkish
    Indonesian
    Vietnamese
    Thai
    Bengali
    Persian
    Polish
Richiedere un preventivo |
Casa ProdottiChip del circuito integrato

Potere della fossa dei transistor 650V dei MOSFETs del carburo di silicio di TO-263-8 IMBG65R048M1H sic

Tutti i prodotti

Chip del circuito integrato

(18776)

BT IC

(524)

Moduli automobilistici di IGBT

(1938)

Microcontroller MCU

(12604)

GaN IC

(51)

Chip di elaborazione AI

(1169)

Gate array programmabile del campo

(6583)

CI ethernet

(940)

Connettori

(2853)

Chip IC di memoria

(2435)

Sensore IC

(2180)

Chip IoT

(232)

Modulo 5G

(132)

Chip di WiFi 6

(138)

Chip di Iphone IC

(55)

Modulo di comunicazione senza fili

(3303)

Regolatore di temperatura Thermostat

(8)
Migliori prodotti
CYPD6227-96BZXI Chip di circuito integrato a doppia porta USB Controller IC di tipo C VFBGA96

CYPD6227-96BZXI Chip di circuito integrato a doppia porta USB Controller IC di tipo C VFBGA96

MC33984CHFKR2 circuito integrato chip driver di carico IC switch di distribuzione di potenza

MC33984CHFKR2 circuito integrato chip driver di carico IC switch di distribuzione di potenza

MCZ33905DD5EKR2 sistema di chip di circuito integrato base chip con CAN e LIN ad alta velocità

MCZ33905DD5EKR2 sistema di chip di circuito integrato base chip con CAN e LIN ad alta velocità

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

—— Luis dagli Stati Uniti

Alta qualità e prestazioni affidabili: "I componenti elettronici che abbiamo ricevuto da [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] sono di alta qualità e hanno dimostrato prestazioni affidabili nei nostri dispositivi".

—— Richardg Dalla Germania

Prezzi competitivi: i prezzi offerti da è molto competitivo, rendendolo una scelta eccellente per le nostre esigenze di approvvigionamento.

—— Tim dalla Malesia

Il servizio clienti è eccellente, sempre disponibile e disponibile, garantendo che le nostre esigenze siano soddisfatte prontamente.

—— Vincent dalla Russia

Grandi prezzi, consegna veloce e servizio clienti di prim'ordine.

—— Nishikawa dal Giappone

Componenti affidabili, spedizione veloce e supporto eccellente.

—— Sam dagli Stati Uniti

Ricomando vivamente ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd per qualsiasi progetto di elettronica!

—— Lina dalla Germania

Sono ora online in chat

Potere della fossa dei transistor 650V dei MOSFETs del carburo di silicio di TO-263-8 IMBG65R048M1H sic

Potere della fossa dei transistor 650V dei MOSFETs del carburo di silicio di TO-263-8 IMBG65R048M1H sic
Potere della fossa dei transistor 650V dei MOSFETs del carburo di silicio di TO-263-8 IMBG65R048M1H sic

Grande immagine :  Potere della fossa dei transistor 650V dei MOSFETs del carburo di silicio di TO-263-8 IMBG65R048M1H sic

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: IMBG65R048M1H
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-263-8
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union
Contatto

Potere della fossa dei transistor 650V dei MOSFETs del carburo di silicio di TO-263-8 IMBG65R048M1H sic

Descrizione
Numero del pezzo: IMBG65R048M1H Corrente di punta dello scolo (massima): 99A
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs: 33 nC @ 18 V Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds: 1118 PF @ 400 V
tensione di ripartizione di Scolo-fonte (min): 650V Temperatura di funzionamento: -55°C ~ 175°C (TJ)

Potere della fossa dei transistor 650V dei MOSFETs del carburo di silicio di TO-263-8 IMBG65R048M1H sic

 

Descrizione di prodotto di IMBG65R048M1H

IMBG65R048M1H è dispositivo di potere della fossa di 650V CoolSiC M1 sic, supporto di superficie.

 

Specificazione di IMBG65R048M1H

Numero del pezzo IMBG65R048M1H
Tipo del FET
N-Manica
Vuoti a tensione di fonte (Vdss)
650 V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C
45A (TC)
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On)
18V
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs
64mOhm @ 20.1A, 18V

 

Caratteristiche di IMBG65R048M1H

  • La commutazione ottimizzata è havior alle più alte correnti
  • Diodo veloce robusto del corpo di commutazione con Qf basso
  • Affidabilità superiore dell'ossido del portone
  • Tj, max=175°C e comportamento termico eccellente

 

Altri componenti elettronici in azione

Numero del pezzo Pacchetto
RT8567AGQW WQFN20
IRG4PSH71UPBF SUPER-247
PIC18F66J11-I/PT TQFP64
MX29GL256EHT2I-90Q TSOP56
ITG-3600 QFN16
AXK7L24223G SMD


FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

Prodotto Tag:

Chip 24-PQFN del circuito integrato,

Lineare a doppio canale di TUSB1002ARGER,

Chip integrati QFN24

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

circa

Chip del circuito integrato

VN7008AJTR circuito integrato chip driver lato alto 96A switch lato alto PowerSSO-16

ADG1433YCPZ Chip di circuito integrato iCMOSTM Switch 4.7 Ohm Industrial CMOS Analog Switch

LT6700CS6-1 Chip di circuito integrato Micropower Low Voltage Dual Comparator Con 400mV di riferimento

CI ethernet

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s 6-Lane 6-Port PCI Express Gen 2 Switch PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC 16-Lane 16-Port PCI Express Switch HSBGA-324 PCIe Switch

88E1111-B2-RCJ1C000 Ethernet IC Alaska Ultra Gigabit Ethernet PHY Trasmettitori

Lasciare messaggio

politica sulla riservatezza | La Cina buon Qualità Chip del circuito integrato fornitore. © 2022 - 2025 integrated-ic.com. All Rights Reserved.