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Transistor di N-Manica 650V 28A del chip IMBG65R083M1H del circuito integrato singoli

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

—— Luis dagli Stati Uniti

Alta qualità e prestazioni affidabili: "I componenti elettronici che abbiamo ricevuto da [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] sono di alta qualità e hanno dimostrato prestazioni affidabili nei nostri dispositivi".

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Transistor di N-Manica 650V 28A del chip IMBG65R083M1H del circuito integrato singoli

Transistor di N-Manica 650V 28A del chip IMBG65R083M1H del circuito integrato singoli
Transistor di N-Manica 650V 28A del chip IMBG65R083M1H del circuito integrato singoli Transistor di N-Manica 650V 28A del chip IMBG65R083M1H del circuito integrato singoli

Grande immagine :  Transistor di N-Manica 650V 28A del chip IMBG65R083M1H del circuito integrato singoli

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: IMBG65R083M1H
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-263-8
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union

Transistor di N-Manica 650V 28A del chip IMBG65R083M1H del circuito integrato singoli

Descrizione
Numero del pezzo: IMBG65R083M1H Tecnologia: SiCFET (carburo di silicio)
Tensione di controllo: 18v Tensione della soglia di Portone-fonte: 5,7 V
Dissipazione di potere: 126 W Qg - tassa del portone: 44 nC

Transistor di N-Manica 650V 28A del chip IMBG65R083M1H del circuito integrato singoli

 

Descrizione di prodotto di IMBG65R083M1H

IL MOSFET di IMBG65R083M1H 650V CoolSiCTM offre una combinazione unica di prestazione, di affidabilità e di facilità d'uso.

 

Specificazione di IMBG65R083M1H

Numero del pezzo

IMBG65R083M1H

Dissipazione di potere (massima)

126W (TC)

Temperatura di funzionamento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaggio del tipo

Supporto di superficie

Pacchetto del dispositivo del fornitore

PG-TO263-7-12

 

Caratteristiche di IMBG65R083M1H

  • Comportamento di commutazione ottimizzato alle più alte correnti

  • Diodo veloce robusto del corpo di commutazione con Qr basso

 

Altri tipi di prodotto del rifornimento

Numero del pezzo

Pacchetto

XC7K160T-L2FBG484I

BGA

XC7K160T-3FBG676E

BGA

XC7K160T-2FBG676I

BGA

XC7K160T-3FBG484E

BGA

XC7K160T-1FBG676I

BGA

XC7K160T-1FFG676I

BGA


FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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