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sic transistor TO-263-8 del MOSFET di N-Manica del MOSFET IMBG120R045M1H della fossa 1200V

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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—— Lina dalla Germania

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sic transistor TO-263-8 del MOSFET di N-Manica del MOSFET IMBG120R045M1H della fossa 1200V

sic transistor TO-263-8 del MOSFET di N-Manica del MOSFET IMBG120R045M1H della fossa 1200V
1200V SiC Trench MOSFET IMBG120R045M1H N-Channel MOSFET Transistors TO-263-8
sic transistor TO-263-8 del MOSFET di N-Manica del MOSFET IMBG120R045M1H della fossa 1200V sic transistor TO-263-8 del MOSFET di N-Manica del MOSFET IMBG120R045M1H della fossa 1200V

Grande immagine :  sic transistor TO-263-8 del MOSFET di N-Manica del MOSFET IMBG120R045M1H della fossa 1200V

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: IMBG120R045M1H
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-263-8
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union
Contatto

sic transistor TO-263-8 del MOSFET di N-Manica del MOSFET IMBG120R045M1H della fossa 1200V

Descrizione
Numero del pezzo: IMBG120R045M1H Il cortocircuito resiste al tempo: 3 µs
Tensione del portone di giro-fuori: 0 V Qg - tassa del portone: 46 nC
Th di Vgs - tensione della soglia di Portone-fonte: 5,7 V Tensione della soglia del portone del punto di riferimento: VGS (Th) = 4.5V

sic transistor TO-263-8 del MOSFET di N-Manica del MOSFET IMBG120R045M1H della fossa 1200V

 

Descrizione di prodotto di IMBG120R045M1H

IMBG120R045M1H è MOSFET della fossa di CoolSiC™ 1200V sic con la tecnologia di collegamento di .XT.

 

Specificazione di IMBG120R045M1H

Numero del pezzo: IMBG120R045M1H
Sic
SMD/SMT
TO-247-7
1,2 chilovolt
47 A
45 mOhms
- 7 V, + 23 V

 

Caratteristiche di IMBG120R045M1H

  • Il cortocircuito resiste ai µs di tempo 3
  • DV/dt completamente controllabile
  • Tensione della soglia del portone del punto di riferimento, VGS (Th) = 4.5V
  • Robusto contro parassitario accenda, tensione del portone di giro-fuori 0V può applicarsi
  • Diodo robusto del corpo per commutazione dura

 

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Numero del pezzo Pacchetto
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AM79C984AJC PLCC84
RE46C141SW16TF SOP16
BSC190N15NS3G TDSON-8
UC2637DWTR SOP20


FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

Prodotto Tag:

Chip 24-PQFN del circuito integrato,

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Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

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