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Di IMBG65R039M1H di N-Manica 650V dei MOSFETs dei transistor dispositivo di potere della fossa sic

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

—— Luis dagli Stati Uniti

Alta qualità e prestazioni affidabili: "I componenti elettronici che abbiamo ricevuto da [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] sono di alta qualità e hanno dimostrato prestazioni affidabili nei nostri dispositivi".

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Ricomando vivamente ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd per qualsiasi progetto di elettronica!

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Di IMBG65R039M1H di N-Manica 650V dei MOSFETs dei transistor dispositivo di potere della fossa sic

Di IMBG65R039M1H di N-Manica 650V dei MOSFETs dei transistor dispositivo di potere della fossa sic
IMBG65R039M1H N-Channel 650V MOSFETs Transistors SiC Trench Power Device
Di IMBG65R039M1H di N-Manica 650V dei MOSFETs dei transistor dispositivo di potere della fossa sic Di IMBG65R039M1H di N-Manica 650V dei MOSFETs dei transistor dispositivo di potere della fossa sic

Grande immagine :  Di IMBG65R039M1H di N-Manica 650V dei MOSFETs dei transistor dispositivo di potere della fossa sic

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: IMBG65R039M1H
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-263-8
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union
Contatto

Di IMBG65R039M1H di N-Manica 650V dei MOSFETs dei transistor dispositivo di potere della fossa sic

Descrizione
Numero del pezzo: IMBG65R039M1H Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C: 54A (TC)
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs: 51mOhm @ 25A, 18V Vgs - tensione di Portone-fonte: - 5 V, + 23 V
Tipo di prodotto: MOSFET Stato del prodotto: Attivo

Di IMBG65R039M1H di N-Manica 650V dei MOSFETs dei transistor dispositivo di potere della fossa sic

 

Descrizione di prodotto di IMBG65R039M1H

I transistor di potenza del potenziamento-modo di IMBG65R039M1H GaN sono disponibili in un pacchetto del superficie-supporto di ThinPAK 5x6, ideale per le applicazioni che richiedono un dispositivo compatto senza un dissipatore di calore.

 

Specificazione di IMBG65R039M1H

Numero del pezzo

IMBG65R039M1H

Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs

41 nC @ 18 V

Vgs (massimo)

+23V, -5V

Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds

1393 PF @ 400 V

 

Caratteristiche di IMBG65R039M1H

  • Dipendenza corrente più bassa di impulso e) sopra (di Rs dalla temperatura

  • Capacità aumentata della valanga

 

Altri tipi di prodotto del rifornimento

Numero del pezzo

Pacchetto

XC7K160T-1FB484I

BGA

XC7K160T-1FB676I

BGA

XC7K160T-2FB484I

BGA

XC7K160T-L2FBG676E

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XC7K160T-2FBG676C

BGA

XC7K160T-L2FFG676I

BGA


FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

Prodotto Tag:

Chip 24-PQFN del circuito integrato,

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Chip integrati QFN24

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

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