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singolo chip del circuito integrato dei transistor IMBG65R107M1H dei MOSFETs dei FETs di 24A 110W

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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Alta qualità e prestazioni affidabili: "I componenti elettronici che abbiamo ricevuto da [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] sono di alta qualità e hanno dimostrato prestazioni affidabili nei nostri dispositivi".

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singolo chip del circuito integrato dei transistor IMBG65R107M1H dei MOSFETs dei FETs di 24A 110W

singolo chip del circuito integrato dei transistor IMBG65R107M1H dei MOSFETs dei FETs di 24A 110W
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Grande immagine :  singolo chip del circuito integrato dei transistor IMBG65R107M1H dei MOSFETs dei FETs di 24A 110W

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: IMBG65R107M1H
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-263-8
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union

singolo chip del circuito integrato dei transistor IMBG65R107M1H dei MOSFETs dei FETs di 24A 110W

Descrizione
Numero del pezzo: IMBG65R107M1H Determinare tensione: 0V-18V
Perdite di commutazione più basse: 4 volte Tassa del portone: 35 nC
Tensione di Portone-fonte: 23 V Palladio: 110 W

singolo chip del circuito integrato dei transistor IMBG65R107M1H dei MOSFETs dei FETs di 24A 110W

 

Descrizione di prodotto di IMBG65R107M1H

IMBG65R107M1H fornisce ad un diodo ultraveloce integrato del corpo permettendo l'uso nelle topologie sonore la tassa di recupero inversa più bassa.

 

Specificazione di IMBG65R107M1H

Numero del pezzo:

IMBG65R107M1H

Canali:

1

Vds:

650 V

RDS sopra:

42 MOhms

Identificazione:

63 A

Th di Vgs:

5,7 V

 

Benefici di IMBG65R107M1H

  • Combinazione unica di rendimento elevato, di alto relibility e di facilità d'uso

  • Facilità d'uso ed integrazione

 

Altri tipi di prodotto del rifornimento

Numero del pezzo

Pacchetto

XC7A75T-2FTG256C

BGA

XC7A75T-1FGG484I

BGA

XC7A75T-2FGG676C

BGA

XC7A75T-1FGG484C

BGA

XC7A75T-1CSG324I

BGA

XC7A75T-1FGG676C

BGA


FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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