Transistor TO-247-3 dei MOSFETs di N-Manica 1200V del carburo di silicio IMW120R090M1H

Carburo di silicio IMW120R090M1H N-canale 1200V MOSFET transistor TO-247-3

Descrizione del prodottoIMW120R090M1H

IMW120R090M1H è CoolSiCTM 1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET, perdite di commutazione molto basse.

Specifica diIMW120R090M1H

Caratteristiche diIMW120R090M1H

• Non soglia sulla caratteristica di stato
• Ampio intervallo di tensione della porta-sorgente
• tensione di soglia di porta di riferimento, VGS ((th) = 4,5V
• 0V di tensione di spegnimento della porta per un semplice e semplice azionamento della porta
• DV/dt completamente controllabile
• Diodo corporeo robusto per commutazione dura

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Domande frequenti

D: I vostri prodotti sono originali?
A: Sì, tutti i prodotti sono originali, nuova importazione originale è il nostro scopo.
D: Quali certificati ha?
R: Siamo una società certificata ISO 9001:2015 e membro di ERAI.
D: Potete supportare ordini o campioni in piccole quantità?Il campione è gratuito?
R: Sì, sosteniamo l'ordine di campione e piccolo ordine. Il costo del campione è diverso a seconda del tuo ordine o progetto.
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R: Usiamo l'espresso per spedire, come DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS. Possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito.I prodotti saranno in buona imballaggio e garantire la sicurezza e siamo responsabili di danni al prodotto al vostro ordine.
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