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Transistor TO-263-8 del chip IMBG120R090M1H Trenchstop IGBT del circuito integrato

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

—— Luis dagli Stati Uniti

Alta qualità e prestazioni affidabili: "I componenti elettronici che abbiamo ricevuto da [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] sono di alta qualità e hanno dimostrato prestazioni affidabili nei nostri dispositivi".

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Transistor TO-263-8 del chip IMBG120R090M1H Trenchstop IGBT del circuito integrato

Transistor TO-263-8 del chip IMBG120R090M1H Trenchstop IGBT del circuito integrato
Integrated Circuit Chip IMBG120R090M1H Trenchstop IGBT Transistors TO-263-8
Transistor TO-263-8 del chip IMBG120R090M1H Trenchstop IGBT del circuito integrato Transistor TO-263-8 del chip IMBG120R090M1H Trenchstop IGBT del circuito integrato

Grande immagine :  Transistor TO-263-8 del chip IMBG120R090M1H Trenchstop IGBT del circuito integrato

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: IMBG120R090M1H
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-263-8
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union
Contatto

Transistor TO-263-8 del chip IMBG120R090M1H Trenchstop IGBT del circuito integrato

Descrizione
Numero del pezzo: IMBG120R090M1H Qg - tassa del portone: 23 nC
Resistenza su di Scolo-fonte di RDS: 125 mOhms Identificazione - Corrente continua dello scolo: 26 A
Vds - tensione di ripartizione di Scolo-fonte: 1,2 kV Serie: Alta velocità 3 di Trenchstop IGBT

Transistor TO-263-8 del chip IMBG120R090M1H Trenchstop IGBT del circuito integrato

 

Descrizione di prodotto di IMBG120R090M1H

IMBG120R090M1H è MOSFET della fossa di CoolSiC™ 1200V sic, N-Manica 1200V 26A, supporto di superficie, pacchetto è TO-263-8, ² Pak (7 cavi + linguette) di D.

 

Specificazione di IMBG120R090M1H

Numero del pezzo: IMBG120R090M1H
Configurazione: Singolo
Tempo di caduta: 10 NS
Transconduttanza di andata - min: 4,7 S
Tipo di prodotto: MOSFET
Tempo di aumento: 3,1 NS

 

Caratteristiche di IMBG120R090M1H

  • Vuoti a tensione di fonte (Vdss): 1200 V
  • Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C: 26A (TC)
  • RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs: 125mOhm @ 8.5A, 18V
  • Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @: 5.7V @ 3.7mA

 

Altri componenti elettronici in azione

Numero del pezzo Pacchetto
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XA6SLX9-2CSG324I 324-LFBGA
XA6SLX9-2FTG256I FBGA-256
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XA6SLX75T-3FGG484Q FCBGA-484
XA6SLX75T-2FGG484I FCBGA-484


FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

Prodotto Tag:

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Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

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