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Supporto di superficie discreto dei transistor IMBG120R350M1H TO-263-8 a semiconduttore

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

—— Luis dagli Stati Uniti

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Supporto di superficie discreto dei transistor IMBG120R350M1H TO-263-8 a semiconduttore

Supporto di superficie discreto dei transistor IMBG120R350M1H TO-263-8 a semiconduttore
Supporto di superficie discreto dei transistor IMBG120R350M1H TO-263-8 a semiconduttore Supporto di superficie discreto dei transistor IMBG120R350M1H TO-263-8 a semiconduttore

Grande immagine :  Supporto di superficie discreto dei transistor IMBG120R350M1H TO-263-8 a semiconduttore

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: IMBG120R350M1H
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-263-8
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union

Supporto di superficie discreto dei transistor IMBG120R350M1H TO-263-8 a semiconduttore

Descrizione
Numero del pezzo: IMBG120R350M1H Corrente di diodo pulsata del corpo: 169 A
Il cortocircuito resiste al tempo: 3 µs Dissipazione di potere: 300W
Temperatura di stoccaggio: 55-150 °C Resistenza termica: 62 K/W

Supporto di superficie discreto dei transistor IMBG120R350M1H TO-263-8 a semiconduttore

 

Descrizione di prodotto di IMBG120R350M1H

IMBG120R350M1H dovuto il RDS classe miglirice (sopra) e il più ampia area di funzionamento sicuro (SOA), il dispositivo è inoltre ideale per le applicazioni a pile (BPA) ed i sistemi di gestione della batteria (BMS).

 

Specificazione di IMBG120R350M1H

Numero del pezzo:

IMBG120R350M1H

Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds:

2290 PF @ 800 V

Caratteristica del FET:

Norma

Temperatura di funzionamento:

-55°C ~ 175°C (TJ)

Il cortocircuito resiste al tempo:

3 µs

Tensione della soglia del portone del punto di riferimento:

4.5V

 

Applicazioni potenziali di IMBG120R350M1H

  • Azionamenti

  • Infrastruttura – caricatore

  • Generazione di energia - invertitore solare della corda ed ottimizzatore solare

  • Alimentazioni elettriche industriali - UPS industriale

 

Altri tipi di prodotto del rifornimento

Numero del pezzo

Pacchetto

ADSP-SC584CBCZ-5A

BGA349

ADUC7061BCPZ32

LFCSP32

ADUC841BSZ62-3

QFP-52

S32G399AACK1VUCT

100-TQFP

DP83TC812RRHARQ1

VQFN-36

CYT2B94CACQ0AZEGS

80-LQFP


FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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