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Transistor del MOSFET della fossa TO-263-8 del carburo di silicio di N-Manica IMBG120R220M1H 1200V

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

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Transistor del MOSFET della fossa TO-263-8 del carburo di silicio di N-Manica IMBG120R220M1H 1200V

Transistor del MOSFET della fossa TO-263-8 del carburo di silicio di N-Manica IMBG120R220M1H 1200V
N-Channel IMBG120R220M1H 1200V Silicon Carbide Trench TO-263-8 MOSFET Transistors
Transistor del MOSFET della fossa TO-263-8 del carburo di silicio di N-Manica IMBG120R220M1H 1200V Transistor del MOSFET della fossa TO-263-8 del carburo di silicio di N-Manica IMBG120R220M1H 1200V

Grande immagine :  Transistor del MOSFET della fossa TO-263-8 del carburo di silicio di N-Manica IMBG120R220M1H 1200V

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: IMBG120R220M1H
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-263-8
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union

Transistor del MOSFET della fossa TO-263-8 del carburo di silicio di N-Manica IMBG120R220M1H 1200V

Descrizione
Numero del pezzo: IMBG120R220M1H Tempo di caduta: 11 NS
Transconduttanza di andata - min: 1,9 S Configurazione: Singolo
Tempo di aumento: 1,1 NS Tempo di ritardo tipico di giro-Fuori: 16 NS

Transistor del MOSFET della fossa TO-263-8 del carburo di silicio di N-Manica IMBG120R220M1H 1200V

 

Descrizione di prodotto di IMBG120R220M1H

IMBG120R220M1H è transistor del MOSFET della fossa del carburo di silicio di N-Manica 1200V CoolSiC™ con la tecnologia di collegamento di .XT.

 

Specificazione di IMBG120R220M1H

Numero del pezzo: IMBG120R220M1H
Sic
SMD/SMT
PG-TO263-7
N-Manica
1 Manica
1,2 chilovolt
13 A
294 mOhms
- 7 V, + 23 V
5,7 V
9,4 nC
- 55 C
+ 175 C
83 W

 

Caratteristiche di IMBG120R220M1H

  • Perdite di commutazione basse stesse
  • Il cortocircuito resiste ai µs di tempo 3
  • Tensione della soglia del portone del punto di riferimento, VGS (Th) = 4.5V
  • Tecnologia di collegamento di .XT per la prestazione termica classa miglirice
  • Dispersione del pacchetto e distanza di spazio > 6.1mm

 

Altri componenti elettronici in azione

Numero del pezzo Pacchetto
XA6SLX45T-2CSG324Q 324-LFBGA
XA6SLX45T-2FGG484I FBGA484
XA6SLX45T-3FGG484I FBGA484
XA6SLX45T-2FGG484Q FBGA484
XA6SLX45T-3CSG324Q 324-LFBGA
XA6SLX16-2CSG324I 324-CSPBGA


FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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