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MOSFET del carburo di silicio di N-Manica del chip IMBG65R022M1H 650V del circuito integrato

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

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MOSFET del carburo di silicio di N-Manica del chip IMBG65R022M1H 650V del circuito integrato

MOSFET del carburo di silicio di N-Manica del chip IMBG65R022M1H 650V del circuito integrato
Integrated Circuit Chip IMBG65R022M1H 650V N-Channel Silicon Carbide MOSFET
MOSFET del carburo di silicio di N-Manica del chip IMBG65R022M1H 650V del circuito integrato MOSFET del carburo di silicio di N-Manica del chip IMBG65R022M1H 650V del circuito integrato

Grande immagine :  MOSFET del carburo di silicio di N-Manica del chip IMBG65R022M1H 650V del circuito integrato

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: IMBG65R022M1H
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-263-7
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union

MOSFET del carburo di silicio di N-Manica del chip IMBG65R022M1H 650V del circuito integrato

Descrizione
Numero del pezzo: IMBG65R022M1H Serie: CoolSiC™
Th di Vgs - tensione della soglia di Portone-fonte: 5,7 V Qg - tassa del portone: 67 nC
Temperatura di funzionamento minima: - 55 C Temperatura di funzionamento massima: + 175 C

MOSFET del carburo di silicio di N-Manica del chip IMBG65R022M1H 650V del circuito integrato

 

Descrizione di prodotto di IMBG65R022M1H

Il supporto di superficie 300W (TC) PG-TO263-7-12.CoolSiC di N-Manica 650 la V 64A (TC) di IMBG65R022M1H è la misura perfetta per uso nelle applicazioni ad alta temperatura e dure dell'ambiente.

 

Specificazione di IMBG65R022M1H

Numero del pezzo: IMBG65R022M1H Vds - tensione di ripartizione di Scolo-fonte: 650 V
Polarità del transistor: N-Manica Identificazione - corrente continua dello scolo: 33 A
Resistenza su di Scolo-fonte di RDS: 94 MOhms Vgs - tensione di Portone-fonte: - 5 V, + 23 V


Caratteristiche di IMBG65R022M1H

  • Qrr e Qoss bassi
  • Perdite di commutazione basse
  • Diodo veloce robusto del corpo di commutazione
  • Tecnologia conducente della fossa con affidabilità superiore dell'ossido del portone
  • Tecnologia di collegamento di .XT per la prestazione termica classa miglirice
  • Capacità aumentata della valanga
  • Pacchetto di SMD per integrazione diretta nel PWB
  • Perno di senso per la prestazione di commutazione ottimizzata

 

Applicazioni di IMBG65R022M1H

  • Server
  • Le Telecomunicazioni
  • SMPS
  • Sistemi a energia solare
  • Immagazzinamento dell'energia e formazione della batteria
  • UPS
  • Carico di EV
  • Azionamenti del motore

 

Altri tipi di prodotto del rifornimento

Numero del pezzo Pacchetto
MRFE6VP5600HR6 NI-1230
OPA551FAKTWT TO-263
SIA408DJ-T1-GE3 QFN6
PTFA092213EL SMD
UCLAMP0505A SOT666
DHR200C420 MODULO

 

FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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